[发明专利]三维多结光生伏打器件

权利要求书

1.一光生伏打器件包括：

一第一能量吸收组件被设置成可将光子碰撞该第一能量吸收组件的能量转换成第一电流；和

一第二能量吸收组件以非平行于第一能量吸收组件的方式被定向，第二能量吸收组件被设置成将光子碰撞该第二能量吸收组件的能量转换成第二电流。光子与第二能量吸收组件的碰撞是在光子碰撞第一能量吸收组件之后进行。

2.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收组件和第二能量吸收组件有不同的带隙值。

3.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收组件包括碲化镉(CdTe)。

4.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第二能量吸收组件包括硅(Si)。

5.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收组件包括一被设置成为第一能量吸收组件提供结构的碳纳米管。

6.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收组件包括一被设置成为第一电流提供一导体的碳纳米管。

7.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收组件和第二能量吸收组件是大体上是垂直的。

8.如权利要求1所述的光生伏打器件，其中至少有以下其中一个：包括一大体上是平的第一表面的第一能量吸收组件和包括一大体上是平的第二表面的第二能量吸收组件。

9.如权利要求1所述的光生伏打器件，进一步包括一第三能量吸收组件被设置成将光子碰撞该第三能量吸收组件的能量转换成第三电流，第三能量吸收组件大体上是平行于第一能量吸收组件并大体上是垂直于第二能量吸收组件，第一能量吸收组件，第二能量吸收组件和第三能量吸收组件以使光子在第一能量吸收组件，第二能量吸收组件和第三能量吸收组件之间回弹的方式被定向。

10.一光生伏打器件包括：

一第一能量吸收表面；

一大体上是平行于第一能量吸收表面的第二能量吸收表面；

一大体上是垂直于第一能量吸收表面和第二能量吸收表面的第三能量吸收表面，第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的每一个都可以被设置成能将光子的能量转换成电能，光子和第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的一个或多个碰撞，第一，第二和第三能量吸收表面以使光子在第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的两个或多个之间回弹的方式被定向。

11.如权利要求10所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收表面和第二能量吸收表面与第三能量吸收表面相比有一不同的带隙值。

12.如权利要求10所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收表面和第二能量吸收表面包括碲化镉(CdTe)。

13.如权利要求10所述的光生伏打器件，其中第三能量吸收表面包括硅(Si)。

14.如权利要求10所述的光生伏打器件，其中第一能量吸收表面包括一设置成为电能提供一导体的碳纳米管。

15.一提供光生伏打器件的方法包括，该方法包括：

提供一包括一第三能量吸收表面的衬底；

在衬底上提供一第一碳纳米管；

在衬底上提供一第二碳纳米管；

用第一能量吸收表面覆盖第一碳纳米管；并用第二能量吸收表面覆盖第二碳纳米管；

第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的每一个都被设置成将光子能量转换成电能，光子和第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的一个或多个碰撞，第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面以使光子在第一能量吸收表面，第二能量吸收表面和第三能量吸收表面中的两个或多个之间回弹的方式被定向。

16.如权利要求15的方法，其中第一能量吸收表面和第二能量吸收表面与第三能量吸收表面相比有一不同的带隙值。

17.如权利要求15的方法，其中第一能量吸收表面和第二能量吸收表面包括碲化镉(CdTe)。

18.如权利要求15的方法，其中第三能量吸收表面包括硅(Si)。

19.如权利要求15的方法，其中第一碳纳米管被设置成为电能提供一导体体。

20.如权利要求15的方法，其中第一碳纳米管和第二碳纳米管大体上是垂直。