[发明专利]具有电子发射体的准分子激光器

权利要求书

1.一种设备，包括：

第一电极；

第二电极，与第一电极隔开，包括适合于在施加发射电压时发射电子的多个电子发射体；和

激光气体，置于第一电极和第二电极之间。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述多个电子发射体包括从由场效应电子发射体和热效应电子发射体组成的组中选择的至少一个电子发射体。

3.如权利要求1所述的设备，其中第二电极还包括：

阴极；

绝缘体，耦合到所述阴极；

栅极，耦合到所述绝缘体；和

多个电子发射体，电耦合到所述阴极，并且适合于在将所述发射电压施加在所述阴极和所述栅极之间时发射电子。

4.如权利要求3所述的设备，还包括：

多个空腔，至少部分由所述阴极、所述绝缘体和所述栅极各部分限定；和

多个电子发射体，对应地设置在所述多个空腔内。

5.如权利要求3所述的设备，其中所述多个电子发射体的首要电子发射体终止于尖端。

6.如权利要求3所述的设备，还包括：

电阻，将所述绝缘体耦合到所述阴极；

多个空腔，至少部分由所述电阻、所述绝缘体和所述栅极各部分限定；和

多个电子发射体，对应地设置在所述多个空腔内。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述电阻至少是用从由铬硅石、碳化硅和掺杂硅组成的组中选择的材料构成的。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述多个电子发射体的首要电子发射体包括至少用从由钼、硅和钨组成的组中选择的材料形成的电子发射体。

9.如权利要求1所述的设备，其中第二电极还包括：

栅极；

绝缘体，耦合到所述栅极；

多个阴极，耦合到所述绝缘体；和

多个电子发射体，对应地耦合到所述多个阴极，并且适合于在将所述发射电压施加在所述栅极和所述多个阴极之间时发射电子。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述多个电子发射体的首要电子发射体包括用碳纳米管形成的电子发射体。

11.如权利要求1所述的设备，其中第一电极包括：

阳极；

绝缘间隔物，耦合到所述阳极；和

栅极，耦合到绝缘绝缘体。

12.如权利要求11所述的设备，其中第二电极还包括：

多个隔开的阴极；和

多个电子发射体，对应地耦合到所述多个隔开的阴极；和

所述多个电子发射体中的至少一个电子发射体，适合于在将所述发射电压施加在对应隔开的阴极和所述栅极之间时发射电子。

13.如权利要求12所述的设备，其中所述多个电子发射体的首要电子发射体包括用碳纳米管形成的电子发射体。

14.如权利要求1所述的设备，其中第二电极还包括：

基片；

阴极，耦合到所述基片；和

所述多个电子发射体的首要电子发射体，耦合到邻接所述阴极的所述基片。

15.如权利要求14所述的设备，其中所述首要电子发射体包括氧化钯的颗粒薄膜。

16.如权利要求1所述的设备，还包括：

室，将第一电极、第二电极和所述激光气体气密地密封在其中。

17.如权利要求16所述的设备，还包括：

光学透镜，安装在所述室的端部，包括具有表面的透明元件和第一涂层，第一涂层耦合到所述表面并且适合于保护所述透明元件免受所述激光气体损害。

18.如权利要求17所述的设备，其中所述光学透镜还包括：

第二涂层，耦合到所述透明元件并且适合于向所述透镜提供预定的光学调节特性。

19.如权利要求1所述的设备，其中所述激光气体适合于在所述多个发射体和第一电极之间存在电流的情况下提供激光反应。