[发明专利]聚醚酰亚胺膜和多层结构体

权利要求书

1.一种膜，其包括：

聚醚酰亚胺聚合物，其具有约270℃至约350℃的玻璃化转变温度；并且

其中聚醚酰亚胺的熔体粘度在425℃时为约200至约10,000帕-秒，所述熔体粘度根据ASTM方法D3835测定。

2.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺聚合物具有至少两种柔性连接基。

3.权利要求2的膜，其中柔性连接基包括一种醚连接基和一种砜连接基。

4.权利要求1的膜，其中当根据IPC方法TM-650，与温度为至少260℃的熔融焊料接触时，该膜抗变形。

5.权利要求1的膜，其中100sec^-1剪切速率时的熔体粘度与1,000sec^-1剪切速率时的熔体粘度之比为至少约1.7。

6.权利要求1的膜，其中至少约50mol％酰亚胺连接基衍生自氧二邻苯二甲酸酐、氧二邻苯二甲酸、氧二邻苯二甲酸酯及其组合。

7.权利要求6的膜，其中聚醚酰亚胺膜包括衍生自二氨基芳基砜的酰亚胺连接基。

8.权利要求7的膜，其中：

至少约60mol％酰亚胺连接基衍生自氧二邻苯二甲酸酐、氧二邻苯二甲酸、氧二邻苯二甲酸酯及其组合；并且

至多约40mol％酰亚胺连接基衍生自双酚A二酐。

9.权利要求8的膜，其中约100mol％酰亚胺连接基衍生自二氨基二苯基砜。

10.权利要求1的膜，其中至少约50mol％酰亚胺连接基衍生自二氨基二芳基砜。

11.权利要求10的膜，其中聚醚酰亚胺包括酰亚胺连接基，其衍生自二氨基二苯基砜和双(氨基苯氧基苯基)砜中的至少一种。

12.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺包括至少约50mol％衍生自氧二邻苯二甲酸酐的酰亚胺连接基和至少约25mol％衍生自二芳基二氨基砜的酰亚胺连接基。

13.权利要求1的膜，其中该膜包括彼此不同的第一聚醚酰亚胺聚合物和第二聚醚酰亚胺聚合物的共混物，并且

其中第一聚醚酰亚胺聚合物包括至少约50mol％氧二邻苯二甲酸酐衍生的连接基，并且第二聚醚酰亚胺基本上不含氧二邻苯二甲酸酐衍生的连接基。

14.权利要求13的膜，其中至少约50wt％共混物包括含有氧二邻苯二甲酸酐衍生的连接基的聚醚酰亚胺聚合物。

15.权利要求1的膜，其中该膜基本上无结晶度，其根据ASTM方法D3418用差式扫描量热法测定。

16.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺基本上不含衍生自均苯四酸二酐的连接基。

17.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺基本上不含苄基质子。

18.l8.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺基本上不含卤素原子。

19.权利要求l的膜，其中该膜的厚度为约l至约1000微米。

20.权利要求1的膜，其中该膜由熔体挤出加工制备。

21.权利要求1的膜，其中该膜具有小于约500ppm的残余溶剂。

22.权利要求1的膜，其中聚醚酰亚胺膜具有小于约100ppm的碱金属或碱土金属阳离子。

23.权利要求1的膜，其中该膜的热膨胀系数为约20ppm/℃至约60ppm/℃，其根据ASTM方法E-831测定。

24.一种膜，其包括：

聚醚酰亚胺，其中基本上所有的酰亚胺连接基包括至少一个氧二邻苯二甲酸酐衍生的醚基团和至少一个砜基团；

其中聚醚酰亚胺的玻璃化转变温度为约270℃至约350℃；

其中聚醚酰亚胺在425℃的熔体粘度为约500至约8,000帕-秒，其根据ASTM方法D3835测定；并且

其中当根据IPC方法TM-650，与温度为约260℃至约300℃的熔融焊料接触时，该膜抗变形。