[发明专利]曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置以及照明光学装置

权利要求书

1.一种曝光方法，借由来自光源的照明光使图案在感光性基板上曝光，其特征在于该曝光方法包括：

对第1绕射光栅照射上述照明光的制程，上述第1绕射光栅在第1方向上具有周期方向，且在与第1方向直交的第2方向上具有长度方向；

使来自上述第1绕射光栅的绕射光照射至第2绕射光栅的制程，上述第2绕射光栅配置在与上述光源相反侧，离第1绕射光栅仅第1有效距离，且在上述第1方向上具有周期方向；以及

使来自上述第2绕射光栅的绕射光照射至上述感光性基板上的制程，上述感光性基板配置在与上述第1绕射光栅相反侧，距上述第2绕射光栅的距离仅为与上述第1有效距离大致相等的第2有效距离，并且

照射至上述第1绕射光栅上特定一点的上述照明光，是以多个照明光为主要成分，上述多个照明光的行进方向，包括上述第2方向且与大致垂直于上述第1绕射光栅的特定平面大体一致。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于照射至上述第1绕射光栅的上述照明光的主要成分，其上述行进方向自上述特定平面内方向的偏移，作为有效角度小于等于1[mrad]。

3.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于使上述第1绕射光栅以及上述第2绕射光栅与上述基板，在上述基板面内方向的相对位置关系，向上述第2方向偏移，或者，在上述第1方向仅偏移上述第2绕射光栅的上述周期的整数倍或半整数倍的长度，并且多次重复执行上述各制程。

4.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于上述各制程是借由扫描曝光而进行，上述扫描曝光是在上述第2方向上对上述第1绕射光栅以及上述第2绕射光栅与上述基板进行相对扫描并曝光。

5.根据权利要求4所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的区域的形状，是上述第2方向的宽度根据上述第1方向的位置而产生变化。

6.根据权利要求4所述的曝光方法，其特征在于多次执行上述扫描曝光，并且在上述多次的上述扫描曝光的各间歇，使上述第1绕射光栅以及上述第2绕射光栅与上述基板向上述第1方向相对移动。

7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的区域的形状，是上述第1方向的宽度根据上述第2方向的位置而产生变化时的形状。

8.一种曝光方法，借由来自光源的照明光使图案在感光性基板上曝光，其特征在于该曝光方法包括：

对第1绕射光栅照射上述照明光的制程，上述第1绕射光栅在第1方向上具有周期方向，且在与第1方向直交的第2方向上具有长度方向；

使来自上述第1绕射光栅的绕射光照射至第2绕射光栅的制程，该第2绕射光栅配置在与上述光源相反侧，离第1绕射光栅仅第1有效距离，且在上述第1方向上具有周期方向；以及

使来自上述第2绕射光栅的绕射光照射至上述感光性基板上的制程，上述感光性基板配置在与上述第1绕射光栅相反侧，距上述第2绕射光栅的距离仅为与上述第1有效距离大致相等的第2有效距离，并且

照射至上述第1绕射光栅上特定一点的上述照明光的有效入射角度的范围，在上述第1方向小于等于2[mrad]，在上述第2方向大于2[mrad]。

9.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于照射至上述第1绕射光栅上特定一点的上述照明光的有效入射角度的范围，在上述第1方向小于等于1[mrad]，在上述第2方向大于5[mrad]。

10.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于使上述第1绕射光栅以及上述第2绕射光栅与上述基板，在上述基板面内方向的相对位置关系，向上述第2方向偏移，或者，在上述第1方向仅偏移上述第2绕射光栅的上述周期的整数倍或者半整数倍的长度，并且多次重复执行上述各制程。

11.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于上述各制程是借由扫描曝光而进行，上述扫描曝光是在上述第2方向上对上述第1绕射光栅以及上述第2绕射光栅与上述基板进行相对扫描并曝光。

12.根据权利要求11所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的区域的形状，是上述第2方向的宽度根据上述第1方向的位置而产生变化时的形状。