[发明专利]高频开关模块及用于高频电路的频率特性调整方法

权利要求书

1.一种高频开关模块，其中，包含在高频信号的传输路径之间以选择的方式进行切换用的高频开关装置的高频开关，以及包含电感器和电容器以去除传输路径中产生的不希望有的波的π型高频滤波器，它们彼此结合在一起，所述高频开关模块包括：

在π-型高频滤波器与高频开关装置之间直接串联连接的电感器；和

Chebyshev-型低通滤波器，它包含当高频开关装置被导通时所形成的电感分量和电容分量，并包含π-型高频滤波器中所含的旁路电容器；

其中，在用fk表示Chebyshev-型低通滤波器所产生的作为通带零点的脉动频率时，频率fk包含在除n阶高次谐波衰减带之外的某一频带中，n为基频的整数倍数，且为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的高频开关模块，其中，所述频率fk处于二阶高次谐波衰减带与三阶高次谐波衰减带之间。

3.根据权利要求1或2所述的高频开关模块，其中，所述高频开关以选择的方式在用于传输信号的传输路径与用于接收信号的传输路径之间切换，并且

所述π-型高频滤波器设在用于传输信号的传输路径上，以去除传输信号的高阶高次谐波。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频开关模块，其中，所述高频开关包括二极管，作为高频开关装置，并且

所述π-型高频滤波器的电感器与二极管直接串联连接。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的高频开关模块，其中，所述高频开关包括FET开关，作为高频开关装置，并且    

所述π-型高频滤波器的电感器与FET开关直接串联连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频开关模块，其中，所述π-型高频滤波器设在用于高频信号的传输路径上，并且是低通滤波器，该低通滤波器包括与电容器并联连接且构成LC并联谐振电路的一部分的第一电感器，以及第二电感器，所述第二电感器不具有与第二电感器并联连接且不构成LC并联谐振电路的电容器，所述不构成LC并联谐振电路的第二电感器与高频开关直接串联连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的高频开关模块，其中，所述π-型高频滤波器的电感器具有两倍于从高频开关一端到与高频开关的所述端连接的另一装置之间的最短电路长度，或者更长的电路长度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的高频开关模块，其中，在通过层叠多个介电层形成的模块部件中，将所述π-型高频滤波器的电感器构造成带状。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的高频开关模块，其中，在通过层叠多个介电层形成的模块部件中，将所述π-型高频滤波器的电感器构造成芯片部件。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的高频开关模块，其中，对用于传输具有单一波长的高频信号，或者用于传输具有多种不同波长的高频信号的信号传输路径，选择地进行切换。

11.一种用于高频电路的频率特性调整方法，所述高频电路包括高频开关装置和在高频开关装置前级或后级旁路连接的旁路电容器，所述方法包括如下步骤：

通过增加与高频开关装置直接串联的电感器，将高频开关装置被导通时所形成的电容的电感分量和电容分量与旁路电容器构成的Chebyshev-型低通滤波器电路的截止频率，朝向低频一侧移动，并抑制脉动频率即通带的零点；并且

调整电感值，使得在以fk表示脉动频率时，频率fk包含在除n阶高次谐波衰减带以外的频带中，n为基频的整数倍数，并且大于等于2。

12.根据权利要求11所述的用于高频电路的频率特性调整方法，其中，所述频率fk处于二阶高次谐波衰减带与三阶高次谐波衰减带之间。

13.根据权利要求11或12所述的用于高频电路的频率特性调整方法，其中，所述电感器具有两倍于从高频开关装置一端到与高频开关装置的所述端连接的另一装置之间的最短电路长度或更长的电路长度。

14.根据权利要求13所述的用于高频电路的频率特性调整方法，其中，所述装置是在高频开关装置的前级或后级旁路连接的电容器。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的用于高频电路的频率特性调整方法，其中，所述高频开关装置为二极管，并且电感器与所述二极管直接串联连接。

16.根据权利要求11至14中任一项所述的用于高频电路的频率特性调整方法，其中，所述高频开关装置为FET开关，并且所述电感器与所述FET开关直接串联连接。