[发明专利]钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法

权利要求书

1.一种钽化合物，其用通式(1)表示，

[化1]

(式中，R¹表示碳原子数为2～6的直链状烷基)。

2.权利要求1所述的钽化合物，其中，R¹表示碳原子数2～4的直链状烷基。

3.权利要求1或2所述的钽化合物，其中，R¹为乙基或丙基。

4.权利要求1～3中任一项所述的钽化合物，其中，R¹为乙基。

5.一种钽化合物，其用通式(2)表示，

[化2]

(式中，R²表示碳原子数为2～6的直链状烷基)。

6.权利要求5所述的钽化合物，其中，R²表示碳原子数为2～4的直链状烷基。

7.权利要求5或6所述的钽化合物，其中，R²为乙基或丙基。

8.权利要求5～7中任一项所述的钽化合物，其中，R²为乙基。

9.一种制备通式(2)表示的钽化合物的方法，

[化5]

(式中，R²表示碳原子数在2～6的直链状烷基)，

该方法包括：使下述通式(3)表示的卤化钽、下述通式(4)表示的取代环戊二烯的碱金属盐以及还原剂反应，

[化3]

TaX5    (3)

(式中，X表示卤素)；

[化4]

(式中，R²表示碳原子数为2～6的直链状烷基，M表示碱金属)。

10.权利要求9所述的钽化合物的制造方法，其中，

使下述通式(3)表示的卤化钽和异丙基卤化镁反应，然后，与下述通式(4)表示的取代环戊二烯的碱金属盐进行反应，再使生成的通式(5)表示的钽化合物与还原剂的反应，

[化6]

TaX₅    (3)

(式中，X表示卤素)；

[化7]

(式中，R²表示碳原子数为2～6的直链状烷基，M表示碱金属)；

[化8]

(式中，R²表示碳原子数为2～6的直链状烷基，X表示卤素)。

11.一种制备通式(1)表示的钽化合物的方法，

[化10]

(式中，R¹表示碳原子数为2～6的直链状烷基)，

该方法包括，使一氧化碳与通式(2)表示的钽化合物进行反应，

[化9]

(式中，R²表示碳原子数在2～6的直链状烷基)。

12.一种含钽薄膜的形成方法，该方法包括，使用下述通式(6)所示的钽化合物作为原料，

[化11]

(式中，j、k、m以及n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R³～R⁶为氢原子、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为3～6的三烷基甲硅烷基、或者可由一个以上的氟原子取代的碳原子数为1～6的烷基)。

13.权利要求12所述的含钽薄膜的形成方法，其中，j＝1、m＝1，并且，R³和R⁵为碳原子数2～4的直链状烷基，R⁴和R⁶为氢原子。

14.权利要求12或13所述的含钽薄膜的形成方法，其中，j＝1、m＝1，并且，R³和R⁵为乙基或丙基，R⁴和R⁶为氢原子。