[发明专利]具有降低的残余振幅调制的基于硅的电光相位调制器

权利要求书

1.一种滤波装置，其用于降低基于硅的电光相位调制器输出中的振幅调制，所述滤波装置在包括亚微米厚的硅表面层(SOI层)的绝缘硅(SOI)结构中形成，以及包括：

光波导结构，其在所述SOI层内形成，用于支持来自相关联的电光相位调制器的光输出信号的传播；

第一光学滤波器，其耦合到所述光波导结构，以及形成为输出耦合沿所述滤波器特征曲线的上升沿的预定第一波长；以及

第二光学滤波器，其耦合到所述光波导结构，以及形成为输出耦合沿所述滤波器特征曲线的下降沿的预定第二波长，以便降低来自所述传播的光输出信号的振幅调制分量。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其中所述光波导结构包括在所述SOI结构的所述SOI层内形成的单个光波导。

3.如权利要求1所述的滤波装置，其中所述光波导结构包括分光器/光组合器几何机构，其包括平行布置在输入波导部分和输出波导部分之间的第一波导臂和第二波导臂，其中所述第一光学滤波器布置在所述第一波导臂的旁边，以及所述第二光学滤波器布置在所述第二波导臂的旁边。

4.如权利要求3所述的滤波装置，其中所述分光器/光组合器进一步包括光学相位调整元件，其沿所述第一波导臂和所述第二波导臂之一或两者布置，所述光学相位调整元件用于降低沿其传播的信号之间的相位差。

5.如权利要求1所述的滤波装置，其中所述第一和第二光学滤波器包括光学环形谐振器，其在所述SOI结构的所述SOI层内形成为环形波导。

6.如权利要求5所述的滤波装置，其中所述光学环形谐振器包括高掺杂区，以提供对所述滤波波长值的调谐。

7.如权利要求1所述的滤波装置，其中所述第一光学滤波器包括第一多个单独的光学滤波元件，以及所述第二光学滤波器包括第二多个单独的光学滤波元件，其中每一滤波元件配置成输出耦合不同的波长，以及所述滤波装置响应的谐振随着单独的滤波元件的数目增加而增加。