[发明专利]高耐热合成高分子化合物以及高耐电压半导体装置

权利要求书

1.一种高耐热合成高分子化合物，其特征在于，其具有三维立体结构，由通过加成反应生成的共价键将第三有机硅聚合物多个连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物通过硅氧烷键连接而成的，并且，第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构，第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构，第三有机硅聚合物具有2万～80万的分子量。

2.根据权利要求1所述的高耐热合成高分子化合物，其中，还含有热传导性高的绝缘性陶瓷微粒。

3.根据权利要求2所述的高耐热合成高分子化合物，其中，以20％～80％的体积填充率含有绝缘性陶瓷微粒。

4.根据权利要求1所述的高耐热合成高分子化合物，其中，第一有机硅聚合物是选自聚苯基倍半硅氧烷、聚甲基倍半硅氧烷、聚甲基苯基倍半硅氧烷、聚乙基倍半硅氧烷以及聚丙基倍半硅氧烷中的至少一种，第二有机硅聚合物是选自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷和聚甲基苯基硅氧烷中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的高耐热合成高分子化合物，其中，第一有机硅聚合物的分子量比第二有机硅聚合物的分子量小。

6.根据权利要求2所述的高耐热合成高分子化合物，其中，绝缘性陶瓷是选自氮化铝、氧化铍、氧化铝和多晶态SiC中的至少一种。

7.一种半导体装置，其具有覆盖半导体元件和用于将半导体元件电连接于外部器件的电连接部的至少一部分的合成高分子化合物，其特征在于，所述合成高分子化合物具有三维立体结构，其由通过加成反应生成的共价键将第三有机硅聚合物多个连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物通过硅氧烷键连接而成的，并且，第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构，第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构，第三有机硅聚合物具有2万～80万的分子量。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述合成高分子化合物以15％以上的体积填充率含有热传导性高的绝缘性陶瓷微粒。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述合成高分子化合物以20％～80％的体积填充率含有热传导性高的绝缘性陶瓷微粒。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其中，所述绝缘性陶瓷是选自氮化铝、氧化铍、氧化铝和多晶态SiC中的至少一种绝缘性陶瓷。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述半导体元件是宽隙半导体元件，是使用了碳化硅的SiC半导体元件和使用了氮化嫁的GaN半导体元件中的任意一个，第一有机硅聚合物是选自聚苯基倍半硅氧烷、聚甲基倍半硅氧烷、聚甲基苯基倍半硅氧烷、聚乙基倍半硅氧烷以及聚丙基倍半硅氧烷中的至少一种，第二有机硅聚合物是选自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷和聚甲基苯基硅氧烷中的至少一种。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，半导体元件是宽隙半导体受光元件和宽隙半导体发光元件中的任意一个或者两者的组合，第一有机硅聚合物是选自聚苯基倍半硅氧烷、聚甲基倍半硅氧烷、聚甲基苯基倍半硅氧烷、聚乙基倍半硅氧烷以及聚丙基倍半硅氧烷中的至少一种，第二有机硅聚合物是选自由聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷和聚甲基苯基硅氧烷中的至少一种。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，第一有机硅聚合物的分子量比第二有机硅聚合物的分子量小。