[发明专利]Ⅲ/Ⅴ半导体

权利要求书

1. 一种单片集成半导体结构，包括以下层结构：

A)基于掺杂或未掺杂Si或GaP的载体层，

B)作为选择，由掺杂Si、掺杂GaP或掺杂(AlGa)P组成的第一 电流传导层，

C)作为选择，第一适应层，以及

D)包含由具有成分Ga_xIn_yN_aAs_bP_cSb_d的III/V半导体形成的半导 体层的旋光元件，其中，x＝70-100摩尔％，y＝0-30摩尔％，a＝0.5-15 摩尔％，b＝67.5-99.5摩尔％，c＝0-39.5摩尔％和d＝0-15摩尔％，其中 x和y的总和始终是100摩尔％，其中a、b、c和d的总和始终是100 摩尔％，并且其中一方面x和y的总和与另一方面a至d的总和之比 基本上是1∶1。

2. 如权利要求1所述的半导体结构，包含接着层D)的以下层结 构：

E)可选地，第二适应层，以及

F)由掺杂Si、掺杂GaP或掺杂(AlGa)P组成的第二电流传导层。

3. 如权利要求1或2所述的半导体结构，其中：层B)是p-掺杂 的或n-掺杂的。

4. 如权利要求1至3其中之一所述的半导体结构，其中：y＝1 到30摩尔％。

5. 如权利要求1至4其中之一所述的半导体结构，其中：c＝1 到32.0摩尔％。

6. 如权利要求1至5其中之一所述的半导体结构，其中：所述 半导体是直接半导体。

7. 如权利要求2至6其中之一所述的半导体结构，其中：如果 所述层B)是n-掺杂的，则所述层F)是p-掺杂的，以及如果所述层B) 是p-掺杂的，则所述层F)是n-掺杂的。

8. 如权利要求1至7其中之一所述的半导体结构，其中：所述 旋光元件具有层结构(D1-D2-D3)_n，所述层D2是所述半导体的量子 阱层，所述层D1和D3是势垒层，并且n＝1-50，特别是1-15。

9. 如权利要求8所述的半导体结构，其中：接着终端层D1或 D3其中之一，提供势垒层D4。

10. 如权利要求8或9所述的半导体结构，其中：所述势垒层 是具有成分Ga_pIn_qN_rP_sAs_t的半导体，其中p＝85-100摩尔％，q＝0-15 摩尔％，r＝0-15摩尔％，s＝60-100摩尔％以及t＝0-40摩尔％，其中p 和q的总和始终是100摩尔％，r、s和t的总和始终是100摩尔％， 其中一方面p和q的总和与另一方面r到t的总和之比基本上是1∶1， 并且所述势垒层具有优选5-50nm的层厚度。

11. 如权利要求1至10其中之一所述的半导体结构，其中：第 一和/或第二适应层是具有成分Ga_pIn_qN_rP_sAs_t的半导体，其中，p＝90- 100摩尔％，q＝0-10摩尔％，r＝0-10摩尔％，s＝70-100摩尔％以及t＝0-30 摩尔％，其中p和q的总和始终是100摩尔％，r、s和t的总和始终 是100摩尔％，其中一方面p和q的总和与另一方面r到t的总和之 比基本上是1∶1，并且所述适应层具有优选50-500nm的层厚度。

12. 如权利要求1至11其中之一所述的半导体结构，其中：布 置在载体层和旋光元件之间的电流传导层和/或势垒层同时是适应 层。

13. 如权利要求1至12其中之一所述的半导体结构，其中：在 旋光元件下面和/或上面，提供至少一个光学波导层，所述光学波导 层光耦合到所述旋光元件。