[发明专利]高频加热设备

权利要求书

1.一种磁控管驱动目的高频加热设备，包括：

通过整流商业电源电压获得的DC电压电源；

由两个半导体开关元件构成的串联电路；

通过将漏磁变压器的主线圈连接到电容器形成的谐振电路，所述串联电路并联到所述DC电压电源，并且所述谐振电路并联到所述半导体开关元件之一；

驱动装置，用于驱动所述相应半导体开关元件；

频率调制信号产生装置，用于向所述驱动装置提供用于响应于商业电源电压的相位而改变切换频率的频率调制信号；

最小频率限制装置，用于限制所述切换频率的最小频率；

连接到所述漏磁变压器的副线圈的整流装置；和

连接到所述整流装置的磁控管；

其中以位于在将所述切换频率限制到最小频率的时间段和将所述切换频率的限制释放的时间段之间的边界附近的切换频率被平滑地改变的方式布置所述最小频率限制装置。

2.一种磁控管驱动目的高频加热设备包括：

通过整流商业电源电压获得的DC电压电源；

分别由两个半导体开关元件构成的两组串联电路；

通过将漏磁变压器的主线圈连接到电容器形成的谐振电路，两组所述串联电路分别并联到所述DC电压电源，并且所述谐振电路的一端连接到所述两个串联电路之一的中心点，而所述谐振电路的另一端连接到另一串联电路的中心点；

驱动装置，用于驱动所述相应半导体开关元件；

频率调制信号产生装置，用于向所述驱动装置提供用于响应于商业电源电压的相位而改变切换频率的频率调制信号；

最小频率限制装置，用于限制所述切换频率的最小频率；

连接到所述漏磁变压器的副线圈的整流装置；和

连接到所述整流装置的磁控管，

其中以位于在将所述切换频率限制到最小频率的时间段和将所述切换频率的限制释放的时间段之间的边界附近的切换频率被平滑地改变的方式布置最小频率限制装置。

3.一种磁控管驱动目的高频加热设备包括：

通过整流商业电源电压获得的DC电压电源；

由两个半导体开关元件构成的串联电路；

通过将漏磁变压器的主线圈连接到电容器形成的谐振电路，所述串联电路并联到所述DC电压电源，在AC等效电路中，所述谐振电路的一端连接到所述串联电路的中心点，而所述谐振电路的另一端连接到所述DC电压电源的一端；

驱动装置，用于驱动所述相应半导体开关元件；

频率调制信号产生装置，用于向所述驱动装置提供用于响应于商业电源电压的相位而改变切换频率的频率调制信号；

最小频率限制装置，用于限制所述切换频率的最小频率；

连接到所述漏磁变压器的副线圈的整流装置；和

连接到所述整流装置的磁控管，

其中以位于在将所述切换频率限制到最小频率的时间段和将所述切换频率的限制释放的时间段之间的边界附近的切换频率被平滑地改变的方式布置所述最小频率限制装置。

4.如权利要求1到3中任意一个所述的磁控管驱动目的高频加热设备，其中可以由频率调制波形的形状表示所述频率调制信号；和

所述最小频率限制装置具有第一限制功能和第二限制功能中的至少一个，该第二限制功能限制低于或等于所述最小频率的频率，所述第一限制功能通过逐渐增加感应度来限制所述频率调制波形从高于所述最低频率的频率向其较低频率的变化。

5.如权利要求1到3中任意一个所述的磁控管驱动目的高频加热设备，其中可以由频率调制波形表示所述频率调制信号；和

所述最小频率限制装置具有第一限制功能和第二限制功能中的至少一个，该第二限制功能限制低于或等于所述最小频率的频率来以非常小的方式改变，所述第一限制功能通过逐渐增加感应度来限制所述频率调制波形从高于所述最低频率的频率向其较低频率的变化。

6.如权利要求4或5所述的磁控管驱动目的高频加热设备，其中所述第一限制功能通过采用由电压对电流特性表示的PN结的电阻值变化来改变感应度。

7.如权利要求4或5所述的磁控管驱动目的高频加热设备，其中所述第二限制功能通过采用由电压对电流特性表示的PN结的电阻值变化来以非常小的方式改变感应度。

8.如权利要求4或5所述的磁控管驱动目的高频加热设备，其中基于商业电源的整流波形形成所述频率调制波形。