[发明专利]形成高分辨率有源矩阵液晶显示器（LCD）的阴影掩模沉积系统和方法以及由此形成的像素结构

权利要求书

1.一种LCD像素，其由LCD子像素的阵列构成，所述各个子像素包括：

电容器，其由一对通过第一绝缘体彼此电绝缘的第一导体的叠层形成；

晶体管，其由一对间隔开的第二导体、在所述一对第二导体之间延伸而与它们接触的半导体材料、处于所述半导体材料顶部的第二绝缘体和处于所述第二绝缘体顶部的第三导体来构成，其中所述第二导体之一与所述第一导体之一相接触；

液晶材料，其处于所述一个第一导体顶部；和

第四导体，其处于所述液晶材料顶部。

2.按照权利要求1所述的LCD像素，此外还包括由绝缘体形成的基片，其中(i)所述第一导体中的另一个、(ii)所述第二导体和(iii)所述半导体材料中的每一个的至少一部分被设置在所述基片上。

3.按照权利要求1所述的LCD像素，其中：

各个绝缘体是由透明的、不导电的材料形成的；并且

各个第一导体是由透明的、导电的材料形成的。

4.按照权利要求3所述的LCD像素，其中：

各个绝缘体是由氧化铝(Al₂O₃)或二氧化硅(SiO₂)形成的；

各个第一导体是由氧化铟锡(ITO)形成的；并且

各个导体，除了各个第一导体之外，是由铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)或铝(Al)形成的。

5.按照权利要求1所述的LCD像素，此外还包括一对间隔开的第一导电总线，其中所述第三导体与所述一对第一总线之一连接，并且所述另一个第一导体与所述一对第一总线中的另一个连接。

6.按照权利要求5所述的LCD像素，此外还包括第二导电总线，其与所述一对第一总线垂直设置并且通过所述第二绝缘体与之电绝缘，其中所述另一个第二导体与所述第二导电总线连接。

7.一种形成LCD像素的方法，包括步骤：

(a)形成由第一导体的沉积、第一绝缘体在所述第一导体上的沉积和第二导体在所述第一绝缘体上的沉积构成的电容器；

(b)与所述电容器以间隔开的关系沉积半导体材料；

(c)以形成所述第二导体与所述半导体材料的第一部分之间的连接和形成第一总线与所述半导体材料的第二部分相连但不与所述半导体材料的所述第一部分相连的至少一部分的方式沉积第三导体；

(d)在所述半导体材料上和所述第一总线上沉积第二绝缘体；和

(e)在所述第二绝缘体上沉积第四导体，所沉积的第四导体形成第二总线的至少一部分。

8.按照权利要求7所述的方法，此外还包括步骤：

(f)在所述第二导体上沉积液晶材料；和

(g)在所述液晶材料上沉积第五导体。

9.按照权利要求7所述的方法，其中：

所述第三导体由第一金属段和第二金属段构成，所述第一金属段连接了所述半导体材料的所述第一部分与所述第二导体，所述第二金属段定义了与所述半导体材料的第二部分相连的第一总线的至少一部分；并且

所述第四导体由第三金属段构成。

10.按照权利要求9所述的方法，其中：

所述第一总线此外还由与所述第二金属段相接触的第四金属段构成；并且

所述第二总线此外还由与所述第三金属段相接触的第五金属段构成。

11.按照权利要求7所述的方法，其中：

所述第一和第二导体各自是由第一导电材料形成的；

所述第一和第二绝缘体各自是由相同的绝缘体材料形成的；并且

所述第三和第四导体各自是由第二导电材料形成的。

12.按照权利要求11所述的方法，其中：

所述第一导电材料是氧化铟锡(ITO)；

所述绝缘体材料是氧化铝(Al₂O₃)或二氧化硅(SiO₂)；并且

所述第二导电材料是铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)或铝(Al)。