[发明专利]热处理装置有效
| 申请号: | 200680001583.3 | 申请日: | 2006-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN101091235A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 河西繁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:
收纳基板的处理室;
设置在所述处理室的上方、并且分别照射所述基板的多个光源;
内面形成为圆顶状的反射面,反射从所述各个光源发出的光的一部分并导向所述基板的第一反射镜;和
分别设置于所述各个光源,反射并汇聚从各个光源发出的光、导向所述基板的多个第二反射镜,
为了在配设各光源的位置形成第一焦点,并在配设所述基板的一侧形成第二焦点,各第二反射镜的反射面具有围绕该第一焦点的周围的旋转椭圆面的一部分。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
第一反射镜的反射面形成为半球状,
所述光源横跨整个第一反射镜而配设在该反射面的外侧。
3.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
各第二反射镜以相对于所述第一反射镜的光轴调整的倾斜角度而被设置,使得从各个光源发出并且被该反射镜的反射面反射的反射光互不交叉,并且分别照射应处理的基板的表面不同的特定照射区域。
4.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
所述第一反射镜的反射面形成为半球状,
各第二反射镜的第二焦点与第一反射镜的球心一致。
5.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
以所需光源数量为n、第二反射镜的半径为r的情况下,第一反射镜的半径R以下述式(3)表示:
其中,S=nπr2+α,S为所述第一反射镜的表面积,α为修正面积的常数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





