[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200680001480.7 | 申请日： | 2006-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101091143A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 伊藤弘造 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;吕晓章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，包括电压调节器、电源输入端、接地端、以及用于输出产生的恒定电压的输出端；以及
相位补偿电容器，被连接在所述输出端与所述接地端之间，用于所述电压调节器的相位补偿；
其中，所述半导体芯片和所述相位补偿电容器被容纳在单一封装中。
2.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，包括电压调节器、电源输入端、接地端、以及用于输出产生的恒定电压的输出端；以及
串联电路，被连接在所述输出端与所述接地端之间，并且包括用于所述电压调节器的相位补偿的相位补偿电容器以及用于调节所述相位补偿电容器的等效串联电阻的电阻值的相位补偿电阻器；
其中，所述半导体芯片和所述串联电路被容纳在单一封装中。
3.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，包括电压调节器、电源输入端、接地端、用于输出产生的恒定电压的输出端、以及连接端；以及
相位补偿电容器，被连接在所述连接端与所述接地端之间，用于所述电压调节器的相位补偿；
其中
所述半导体芯片和所述相位补偿电容器被容纳在单一封装中，并且
所述半导体芯片包括相位补偿电阻器，被连接在所述连接端与所述输出端之间，用于调节所述相位补偿电容器的等效串联电阻的电阻值。
4.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，包括电压调节器、电源输入端、接地端、用于输出产生的恒定电压的输出端、以及与所述输出端并联连接的连接端；以及
串联电路，被连接在所述连接端与所述接地端之间，并且包括用于所述电压调节器的相位补偿的相位补偿电容器和用于调节所述相位补偿电容器的等效串联电阻的电阻值的相位补偿电阻器；
其中，所述半导体芯片和所述串联电路被容纳在单一封装中。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电容器利用插入器的再配线连接到所述半导体芯片。
6.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电阻器由插入器的再配线的配线电阻形成。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电阻器由用于与所述半导体芯片的连接端连接的电阻性焊接导线形成。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电容器具有小于或等于1mm的长度以及小于或等于0.5mm的宽度。
9.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电阻器具有小于或等于1mm的长度以及小于或等于0.5mm的宽度。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电容器为陶瓷电容器。
11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电容器具有10mΩ到500mΩ的等效串联电阻。
12.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述相位补偿电阻器具有10mΩ到1.5Ω的电阻。
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