[发明专利]磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置无效

专利信息
申请号: 200680001413.5 申请日: 2006-08-23
公开(公告)号: CN101080510A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 近藤隆彦;堀崇展;岩崎安邦;米山信夫 申请(专利权)人: 新明和工业株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 衷诚宣
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁控管 溅射 磁体 构件 阴极 单元 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种磁控管溅射用的磁体构件,其特征在于,

具备

在非磁性金属构成的靶的后面一侧使磁矩的方向相互错开地配置,以形成直到所述靶前面的第1磁力线的内部磁体以及外部磁体、

在所述内部磁体与外部磁体间的所述靶的后面一侧,使磁矩的方向相互错开地配置,以形成抵消所述第1磁力线形成的磁通密度在所述靶的宽度方向的分量的第2磁力线的一对中间磁体、以及

配置于所述靶的后面一侧,引导所述第2磁力线,以使从所述一对中间磁体的一个的端面出发的所述第2磁力线进入到所述一对中间磁体的另一个的端面的磁性构件,

所述磁性构件连接于与所述磁性构件对应的一对中间磁体的各个的所述端面,向着所述靶的后面一侧构成凸状;

所述磁性构件在与所述内部磁体或所述外部磁体之间形成到所述靶的厚度方向上厚度的中部为止的磁力线。

2.根据权利要求1所述的磁体构件,其特征在于,在所述内部磁体和所述磁性构件之间形成到所述靶的厚度方向上厚度的中部为止的第1中间磁力线,在所述外部磁体和所述磁性构件之间形成到所述靶的厚度方向上厚度的中部为止的第2中间磁力线,以抵消由所述第1中间磁力线形成的磁通密度的所述靶厚度方向的分量。

3.根据权利要求2所述的磁体构件,其特征在于,将所述第1磁力线、所述第2磁力线、所述第1中间磁力线和所述第2中间磁力线形成的磁通密度在所述宽度方向和所述厚度方向的值大致为0的零点,形成于被这些磁力线围绕的区域内构成。

4.根据权利要求1所述的磁体构件,其特征在于,所述磁性构件和对应于所述磁性构件的所述一对中间磁体沿着所述内部磁体和所述外部磁体间的所述靶的后面并列配置多个。

5.根据权利要求4所述的磁体构件,其特征在于,在所述内部磁体和邻接于所述内部磁体的第1磁性构件之间,形成到所述靶的厚度方向上厚度的中部为止的第1中间磁力线,

在所述外部磁体和邻接于所述外部磁体的第2磁性构件之间形成到所述靶厚度方向上厚度的中部为止的第2中间磁力线。

6.根据权利要求5所述的磁体构件,其特征在于,在所述第1磁性构件和所述第2磁性构件之间形成到所述靶的厚度方向上厚度的中部为止的第3中间磁力线,以抵消由所述第1中间磁力线和所述第2中间磁力线形成的磁通密度的所述靶的厚度方向的分量。

7.根据权利要求6所述的磁体构件,其特征在于,

将所述第1磁力线、所述第2磁力线、所述第1中间磁力线和所述第3中间磁力线形成的磁通密度在所述宽度方向和所述厚度方向的值大致为0的第1零点,形成于被这些磁力线围绕的区域内,

而且,将所述第1磁力线、所述第2磁力线、所述第2中间磁力线和所述第3中间磁力线形成的磁通密度在所述宽度方向和所述厚度方向的值大致为0的第2零点,形成于被这些磁力线围绕的区域内构成。

8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁体构件,其特征在于,所述磁性构件弯曲为拱形。

9.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁体构件,其特征在于,所述磁性构件大致弯曲为直角。

10.一种磁控管溅射用的阴极单元,其特征在于,具备权利要求1~9中的任一项所述的磁体构件、以及对所述靶提供规定的功率的电源。

11.一种磁控管溅射装置,其特征在于,具备贮存权利要求10所述的阴极单元、与所述阴极单元的所述靶相向的基板的内部能够减压的真空槽。

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