[发明专利]溅镀装置、透明导电膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及溅镀技术，特别是涉及对成膜面的伤害少的溅镀装置 和透明导电膜的制造方法。

背景技术

作为显示元件，有机EL元件近年来受到瞩目。

图9为用于说明有机EL元件201的构造的示意剖视图。

该有机EL元件201在基板211上将下部电极214、有机层217、 218和上部电极219以此顺序层叠，若在下部电极214与上部电极219 之间施加电压，则在有机层217、218的内部或是界面发光。若以ITO 膜(铟锡氧化物膜)等的透明导电膜来构成上部电极219，则发出的光 会透过上部电极219而放出至外部。

如上所述的上部电极219的形成方法主要是使用蒸镀法。

在蒸镀法中，从蒸镀源经由升华或蒸发所放出的粒子是中性的低 能量(数eV左右)粒子，故在形成有机EL元件的阴极或保护膜时， 不会对有机膜造成伤害，而有能形成良好的界面的优点。

但是，蒸镀法由于与有机膜的紧贴性不佳，故会有产生暗点(dark spot)或是由于长期驱动而造成电极剥离的问题。

又，从生产性的观点来看，会有由于是点蒸发源而在大面积时无 法形成良好膜厚分布的问题，或是由于蒸发容器的劣化或蒸发材料的 连续供给困难而使维修周期变短等的问题。

作为解决上述问题的方法，虽提出有溅镀法，但在使成膜对象物 正对于靶材的平行平板型的溅镀法中，在有机层上形成铝的上部电极 时，在有机EL装置的驱动试验中会产生发光开始电压明显变高或不发 光等的问题。这是由于在溅镀法中等离子体中的电荷粒子(Ar离子，2 次电子，击返(Knock-on)Ar)或是具有高运动能量的溅镀粒子入射 到有机膜上，破坏有机膜的界面而使电子无法顺利注入。

因此，在现有技术仍在摸索对策而提出有如图10所示的溅镀装置 110。

该溅镀装置110具有真空槽111，在该真空槽111内，2台的靶材 121a、121b是将背面安装于支承板122a、122b，并将表面相互离开一 定距离而平行地对置配置。

在支承板122a、122b的背面，在真空槽111的侧壁的外侧配置有 磁体部件115a、115b。

磁体部件115a、115b在磁轭129a、129b安装有环状的磁体123a、 123b。

各磁体123a、123b配置成分别将一方的磁极朝向靶材121a、121b， 将另一方的磁极朝向与靶材相反的方向，且，2个磁体123a、123b将 相异的磁极朝向靶材121a、121b。总之，一方的磁体123a将N极朝向 靶材121a时，另一方的磁体123b将S极朝向靶材121b。

经由真空排气系统116将真空槽111内真空排气，从气体导入系 统117将溅镀气体导入，对靶材121a、121b施加电压，则在被靶材 121a、121b所夹的空间内产生溅镀气体的等离子体，靶材121a、121b 的表面被溅镀。

在被靶材121a、121b所夹的空间的侧方配置有成膜对象物113， 利用从靶材121a、121b斜飞出来而被放出至真空槽111内的溅镀粒 子，在成膜对象物113的表面形成薄膜。

在该溅镀装置110中，靶材121a、121b所相互对置的空间被由2 个磁体123a、123b所形成的磁力线包围，由于等离子体由磁力线封闭， 所以成膜对象物113不会暴露在等离子体下，在成膜对象物113表面 所露出的有机薄膜不会受到伤害。

又，由于利用从靶材斜方向飞出且能量较小的溅镀粒子来成膜， 故具备有对露出于成膜对象物表面的薄膜的伤害较小的优点。

专利文献1：日本特开平10-255987号公报

发明内容

在使用上述溅镀装置110而欲连续地在成膜对象物表面形成薄膜 时，只要应用将成膜面朝向靶材121a、121b，并从靶材121a、121b的 侧方缓慢通过的通过成膜方法即可。

然而，在远离靶材121a、121b的位置所形成的膜、即倾斜入射到 成膜对象物而形成的膜发现有电阻大且透过率低的问题。

本发明的发明者们发现了：在与靶材对置并利用通过成膜来形成 透明导电膜时，若成膜对象物含有在离开靶材的位置所成膜的成分， 则会造成电阻率的增大或透过率的降低。

这是因为因在对置的靶材间的外侧所形成的薄膜具有较多的斜向 入射成分而成为多孔膜。