[发明专利]成膜方法及成膜装置无效

专利信息
申请号: 200680001233.7 申请日: 2006-04-07
公开(公告)号: CN101061575A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 龟嶋隆季;川村刚平;小林保男 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;C23C16/44
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜方法,其特征在于,包括:

在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内,导入含有无机硅烷气体的处理气体,在包含所述载置台表面的所述处理容器内壁上,预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序;

将被处理基板装载到已预涂敷有所述非金属薄膜的载置台上的工序;和

在所述处理容器内,导入含有有机硅烷气体的处理气体,在被装载到所述载置台上的所述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。

2.一种成膜方法,其特征在于,包括:

在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内,导入含有无机硅烷气体的处理气体,在包含所述载置台表面的所述处理容器内壁上,预涂敷含有硅的非金属的第一薄膜的工序;

将样品基板装载于已预涂敷有所述非金属的第一薄膜的载置台上的工序;

向所述处理容器内导入用于去除所述非金属的第一薄膜的清洗气体,去除由所述载置台表面的所述样品基板覆盖的区域以外的部分上成膜的所述非金属的第一薄膜的工序;

向所述处理容器内导入含有有机硅烷气体的处理气体,在所述处理容器内壁以及装载有所述样品基板的状态的所述载置台表面上预涂敷含有硅的非金属的第二薄膜的工序;

将所述样品基板搬出所述处理容器的工序;

将被处理基板装载到所述搬出样品基板后的所述载置台上的工序;和

在所述处理容器内,导入含有有机硅烷气体的处理气体,在被装载到所述载置台上的所述被处理基板的表面上形成含硅的非金属薄膜的工序。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:

所述无机硅烷气体是甲硅烷、乙硅烷和二氯硅烷气体中的任一种。

4.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:

使用含有所述有机硅烷气体的处理气体形成的含有硅的非金属薄膜是添加碳和氮的硅膜(SiCN膜)、添加碳的硅氧化膜(SiCO膜)、以及添加碳和氢的硅膜(SiCH膜)中的任一种。

5.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:

所述载置台包括金属氧化物中的氧化钛作为粘结剂。

6.一种成膜装置,其特征在于,包括:

内部设置有装载基板的载置台的处理容器;

用于向所述处理容器内导入含无机硅烷气体的处理气体的第一处理气体导入装置;

用于向所述处理容器内导入含有有机硅烷气体的处理气体的第二处理气体导入装置;

用于对所述载置台交接基板的基板移载装置;和

控制所述第一处理气体导入装置、所述第二处理气体导入装置以及所述基板移载装置,以实施权利要求1或2所述的成膜方法的控制部。

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