[发明专利]成膜方法及成膜装置无效
申请号: | 200680001233.7 | 申请日: | 2006-04-07 |
公开(公告)号: | CN101061575A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 龟嶋隆季;川村刚平;小林保男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
1.一种成膜方法,其特征在于,包括:
在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内,导入含有无机硅烷气体的处理气体,在包含所述载置台表面的所述处理容器内壁上,预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序;
将被处理基板装载到已预涂敷有所述非金属薄膜的载置台上的工序;和
在所述处理容器内,导入含有有机硅烷气体的处理气体,在被装载到所述载置台上的所述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。
2.一种成膜方法,其特征在于,包括:
在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内,导入含有无机硅烷气体的处理气体,在包含所述载置台表面的所述处理容器内壁上,预涂敷含有硅的非金属的第一薄膜的工序;
将样品基板装载于已预涂敷有所述非金属的第一薄膜的载置台上的工序;
向所述处理容器内导入用于去除所述非金属的第一薄膜的清洗气体,去除由所述载置台表面的所述样品基板覆盖的区域以外的部分上成膜的所述非金属的第一薄膜的工序;
向所述处理容器内导入含有有机硅烷气体的处理气体,在所述处理容器内壁以及装载有所述样品基板的状态的所述载置台表面上预涂敷含有硅的非金属的第二薄膜的工序;
将所述样品基板搬出所述处理容器的工序;
将被处理基板装载到所述搬出样品基板后的所述载置台上的工序;和
在所述处理容器内,导入含有有机硅烷气体的处理气体,在被装载到所述载置台上的所述被处理基板的表面上形成含硅的非金属薄膜的工序。
3.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:
所述无机硅烷气体是甲硅烷、乙硅烷和二氯硅烷气体中的任一种。
4.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:
使用含有所述有机硅烷气体的处理气体形成的含有硅的非金属薄膜是添加碳和氮的硅膜(SiCN膜)、添加碳的硅氧化膜(SiCO膜)、以及添加碳和氢的硅膜(SiCH膜)中的任一种。
5.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于:
所述载置台包括金属氧化物中的氧化钛作为粘结剂。
6.一种成膜装置,其特征在于,包括:
内部设置有装载基板的载置台的处理容器;
用于向所述处理容器内导入含无机硅烷气体的处理气体的第一处理气体导入装置;
用于向所述处理容器内导入含有有机硅烷气体的处理气体的第二处理气体导入装置;
用于对所述载置台交接基板的基板移载装置;和
控制所述第一处理气体导入装置、所述第二处理气体导入装置以及所述基板移载装置,以实施权利要求1或2所述的成膜方法的控制部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680001233.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:通信网络重选的方法
- 下一篇:基于地址控制的光选路装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造