[实用新型]一种电力电子模块无效
| 申请号: | 200620170298.1 | 申请日: | 2006-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN200997399Y | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
| 发明(设计)人: | 曹杰;王锦泽 | 申请(专利权)人: | 淄博市临淄银河高技术开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/498;H01L23/02 |
| 代理公司: | 淄博科信专利商标代理有限公司 | 代理人: | 耿霞 |
| 地址: | 255400山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电力 电子 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电力电子模块的新结构。
背景技术
目前,国内外的电力电子模块(晶闸管模块、带移相控制的晶闸管模块、各种整流模块、固态继电器、DC/DC、AC/DC电源模块、IGBT模块、IPM智能功率模块、MOSFET功率模块等)在绝缘支撑及散热和机械防护方面,均采用经钼锰法金属化的陶瓷片或DCB板【也可称为DBC(Direct Copper Bonding或Direct Bonding Copper)陶瓷覆铜板】与铜板焊接而成,其基本的结构包括塑料壳体、有机硅凝胶、钼垫板、半导体芯片、支撑基板、电极等。钼锰法金属化的陶瓷片通过钼垫板和铜电极形成电联结线路,DCB板是把正面的铜层通过蚀刻形成相应线路,然后分别与较厚铜板焊接在一起形成支撑基板。半导体芯片和引出电极焊接在支撑基板上,支撑基板通过密封胶与塑料壳体粘接固定。结构如图3所示。
经钼锰法金属化的陶瓷片或DCB板与铜板焊接后须保证焊接层无空洞,铜板底面应平直或中心略凸,无凹坑现象。但由于两种材料的热膨胀系数相差较大,焊接后会造成铜板中心连同DCB板一起向模块内部凹陷问题,并且聚集了很大的应力。大面积的焊接层,还会出现较大的空洞。这两个问题都会影响到模块散热和寿命,易造成模块主电路烧毁。要解决铜底板焊接后变形问题,焊接前需对铜底板进行整形,但受材料的批次、环境温度的影响,整形尺寸很难满足实际要求。每批材料都要进行大量的试验才能确定合适的整形量,会浪费很多材料和人力。如果整形量过大或过小,会使铜板底面中心位置出现较大凸包或凹坑,需要采用机械加工的方式才能把铜底板整平,而加工过程会造成很多模块损坏。在解决底板变形问题后,却带来了新的问题,即整形后的铜底板上顶面呈现球缺样的凹面,而DCB板是平整的,叠装后两者之间就出现了一个较大的空间,如图4所示,很难用焊料填充,极易造成很多空洞。焊接固化后,虽然铜底板能够冷缩至底部平直或略凸,但焊接层形成的空洞很难消除。这些空洞从外面是看不出来的,需要用价格昂贵的X光无损探测仪才能检验。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种电力电子模块的新结构,以DCB板直接作为模块的支撑基板,增大塑料外壳与支撑基板的接触面,使二者能够牢固结合,达到取消铜底板,减少焊接层,消除焊接空洞和焊接应力,提高模块的导热性能、可靠性和寿命的目的。
本实用新型一种电力电子模块,包括塑料壳体、有机硅凝胶、半导体芯片、电极,其特征在于所述半导体芯片及相应电极焊接在支撑基板上,支撑基板由覆铜层和绝缘层组成,支撑基板通过密封胶与塑料壳体粘接固定。
由覆铜层和绝缘层组成的支撑基板,即为DCB板。本实用新型直接采用DCB板做模块基板,将大大简化模块制作工艺和材料。支撑基板的覆铜层为高纯无氧电解铜箔,绝缘层可以采用氧化铝、氮化铝、氧化锆等具有高介电强度、高机械性能的绝缘材料层。支撑基板正面的覆铜层上蚀刻有相应线路,半导体芯片及相应电极焊接在上面。
本实用新型的装配方式为:
在支撑基板(DCB板)上蚀刻相应线路,由激光切割机切割成规定尺寸,在气体保护链式炉中把半导体芯片焊接到支撑基板上,再将支撑基板用高强度粘接密封胶与塑料外壳粘接在一起,然后焊接电极及引线,清洗烘干后灌封有机硅凝胶,即可完成主电路部分的装配。
本实用新型的优点:
本实用新型是将电力电子类的各种模块结构进行优化,取消较厚的紫铜板,以DCB板作绝缘及导热支撑,消除了模块底板焊接后带来的变形问题以及焊接空洞问题,由于减少了焊接层则大大提高了模块的导热性能和输出电流的能力,提高了模块的可靠性和寿命。同时简化了生产工艺和节省了材料,大大提高了优良品率,降低了产品成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为支撑基板的截面结构示意图;
图3为已有技术模块的结构示意图;
图4为采用已有技术支撑基板的使用状态参考图。
图中:1塑料外壳2半导体芯片3支撑基板4电极5密封胶6有机硅凝胶7覆铜层8绝缘层9 DCB陶瓷覆铜板10紫铜板11焊料12空洞
具体实施方式
如图1,本实用新型的电力电子模块,包括塑料壳体1、有机硅凝胶6、半导体芯片2、支撑基板3、电极4。如图2所示,支撑基板3由覆铜层7及绝缘层8(绝缘层8的正反两面为覆铜层7)组成。支撑基板3通过密封胶5与塑料壳体1粘接固定,支撑基板的覆铜层7上按照公知技术方式蚀刻有相应线路,并且半导体芯片2及相应电极4焊接在支撑基板3上。
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