[实用新型]一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器无效
| 申请号： | 200620163365.7 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN200983267Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 邹雪城;刘冬生;刘政林;张帆;童乔凌;邓敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 擦除 可编程 只读存储器 灵敏 放大器 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，其特征在于：该灵敏放大器包括充电控制电路和检测输出电路两部分，其中，
充电控制电路(1)包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2；PMOS管P1和NMOS管N1组成反相器结构，其公共栅极作为充电控制端A，其公共漏极与NMOS管N2的漏极相连作为充电输入端，和浮栅管MC的源极相连，NMOS管N2的栅极作为泄放控制端B；当充电控制端A和泄放控制端B均为低电平时，充电控制电路(1)开始充电；
检测输出电路(2)包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构，并串连在一起，NMOS管N4和PMOS管P2的公共漏极作为输出与NMOS管N5和PMOS管P3的公共栅极连接，NMOS管N5和PMOS管P3的公共漏极作为放大器的输出端；NMOS管N3的漏极与选择管MS的漏极、以及NMOS管N4和PMOS管P2的公共栅极连接在一起，构成检测输出电路(2)的检测节点BL，NMOS管N3的栅极作为检测节点的泄放控制端C；当泄放控制端C为低电平时，检测节点BL电位被检测输出电路(2)检测并输出，此时当检测节点BL电位高于反相器阈值电压时，输出一个信号，当该节点电位低于反相器阈值电压时，输出为另一个信号。
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