[实用新型]一种新型ITO公共电极和扫描线结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器的显示装置，尤其涉及液晶显示装置的ITO公共电极结构。

背景技术

在现有的液晶显示器的显示装置中，存在ITO公共电极和扫描线结构。其中，扫描线控制所有晶体管的开关状态。ITO公共电极主要用于传输公共电极的电位，同时覆盖在扫描线上时可以屏蔽扫描线的电位对彩膜侧黑色矩阵的耦合作用。

现有技术中ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)公共电极与扫描线的位置关系分为不覆盖和全覆盖两种。

在不覆盖的情况下，如图1所示，ITO公共电极区域1与扫描线2不重叠，即ITO公共电极1不覆盖扫描线2。这种情况下，扫描线2上的电场会对液晶显示装置的其他部分形成干扰，特别是液晶分子区域3中液晶分子的偏转方向会受到扫描线上的电场的干扰而发生改变，从而影响显示效果。

为了降低扫描线上电场的干扰，现有技术提出了一种全覆盖的结构，即ITO公共电极全部覆盖扫描线的结构。如图2所示，在这种结构中，ITO公共电极1完全覆盖扫描线2，由于ITO公共电极1的屏蔽作用，扫描线2上电场对液晶显示装置其他部分的干扰大大减少。但是，在全覆盖的情况下，形成了一个ITO公共电极1与扫描线2重叠区域，产生了一个额外的扫描线电容。由于扫描线的信号传输速度与扫描线的电容C和扫描线的电阻R的乘积值相关。电阻R和电容C乘积值越大，则信号的传输延时更大。为了不影响扫描线的信号传输速度，在增加了ITO公共电极与扫描线重叠而形成的电容后，需要降低扫描线的电阻R，来抵消增加了所述电容造成的影响。在现有技术中，一般采用增加扫描线的宽度来降低扫描线的电阻。从而，降低了液晶显示装置的开口率，即每个象素可透光的有效区域除以每个象素的总面积的值。

综上所述，不覆盖和全覆盖的情况都存在着问题。在不覆盖的情况下，扫描线会对其他液晶显示装置的其他部分形成干扰。在全覆盖的情况下，扫描线的宽度过大，降低了液晶显示装置开口率。

发明内容

为了解决以上问题本实用新型提供了一种部分覆盖扫描线的ITO公共电极结构。

本实用新型中的ITO公共电极覆盖扫描线的一部分，且该被覆盖部分的扫描线是靠近液晶分子区域部分的扫描线。

这种情况下，一方面ITO公共电极可以有效地屏蔽了扫描线上的电场。另一方面，相对于全覆盖的情况，这种结构增大了ITO公共电极与扫描线的重叠区域的面积。由于电容值与电容的面积成正比，ITO公共电极与扫描线的形成的电容的面积即是重叠区域的面积。所以当所述重叠区域的面积减小后，其电容值减小。而扫描线的信号传输速度与电容C与电阻R的乘积相关。在保证扫描线传输速度的情况下，减小了电容C的值，可以增大扫描线的电阻，从而减少扫描线的宽度，提高液晶显示装置的开口率。

附图说明

图1为现有的ITO公共电极与扫描线不覆盖的ITO公共电极与扫描线的示意图；

图2为现有的ITO公共电极与扫描线全覆盖的ITO公共电极与扫描线的示意图；

图3为根据本发明的一个具体实施例的ITO公共电极与扫描线部分覆盖时，ITO公共电极与扫描线的示意图；

图4为根据本发明的另一个具体实施例的ITO公共电极与扫描线半覆盖时，ITO公共电极与扫描线的示意图；以及

图5为根据本发明的又一个具体实施例的ITO公共电极覆盖四分之一扫描线时，ITO公共电极与扫描线的示意图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明，下面结合本发明的具体实施例作进一步说明，但其不限制本发明。

如图3所示，一个液晶显示单元中的ITO公共电极区域1覆盖了扫描线2的部分区域。且该部分区域为扫描线中靠近该显示单元中的像素开口区域3的区域。

一方面，如图3所示，在这种结构中，由于扫描线2对位于显示单元的下方，特别是液晶区域3的下方。由于电场的强度与距离的平方成反比。扫描线的上侧的区域靠近像素开口区域，所以，扫描线上侧区域的电场对开口区域液晶分子的干扰大大大于扫描线下侧的电场的干扰。当ITO公共电极1只覆盖了扫描线2的上侧的时候，其仍然可以有效屏蔽大部分扫描线电场对液晶显示装置中其他区域的影响，特别是对液晶分子区域2的影响。

另一方面，由于电容的大小与面积成正比。所以，当ITO公共电极1与扫描线2的重叠区域减少后，即ITO公共电极1与扫描线2形成的电容的面积减少后。ITO公共电极1与扫描线2形成的电容4也相应减少。