[实用新型]半导体封装焊接的材料无效
| 申请号: | 200620157831.0 | 申请日: | 2006-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN200965878Y | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 汪子瑜 | 申请(专利权)人: | 佰皇科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 皋吉甫 |
| 地址: | 台湾省台北市大安*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 焊接 材料 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种焊接材料,特别是关于一种半导体封装焊接的材料。
背景技术
半导体封装焊接的材料,传统是以金焊线(gold wire)或金银合金焊线作为半导体封装时的焊线,金焊线具有延展性好,不易变质氧化,易于保存且焊接作业佳的特性,但其主要缺点为价格昂贵。公知金焊线的制作是以99.99%纯金(Au),并依照客户产品作业需求掺入微量杂质后,在抽成客户规格的细线来达成,通常线径为20um~75um。金银合金焊线传统的制作方法与金线的制作方法大致相同,差异点仅在于纯金中加入10%~30%的纯银材料。
而铜焊线(copper wire)相对于金焊线具有价格便宜、导电性更佳等电气优点,铜焊线的制作成本相对于金焊线也较便宜,但是铜焊线易氧化保存不易,焊接作业特性也不及金焊线。铜焊线于焊接作业时须通常需要外加氮氢混合的气体。基本上铜焊线的制作方法与金焊线相同,只是将99.99%纯金改为99.99%纯铜而已。而铜焊带的制作方法则是将铜焊线改变为铜焊带的模式。
实用新型内容
鉴于上述的半导体封装焊接材料的问题,本实用新型提出一种新的半导体封装焊接的材料。
本实用新型的主要目的是提供一种半导体封装焊接的材料,此实用新型的材料具有价格便宜、保存容易、焊接作业性佳的特性,且于焊接作业时无须外加氮氢混合气体,节省成本。
为达到上述的目的,本实用新型的半导体封装焊接材料为一金包铜结构的焊线以及焊带。其在铜线或铜带表层通过电镀、熔接方式或以纳米技术涂布一层合乎作业需求的金薄层。
与现有技术相比,本实用新型的半导体封装焊接的材料具有价格便宜、保存容易、焊接作业性佳的特性,且于半导体封装焊接作业时无须外加氮氢混合气体,节省成本。
附图说明
图1为一立体示意图,说明本实用新型的半导体封装材料的第一实施例。
图2为一立体示意图,说明本实用新型的半导体封装材料的第二实施例。
【主要组件符号说明】
11铜线;
12薄金层;
21铜带;
22薄金层。
具体实施方式
有关本实用新型的特征与实作,现配合附图作最佳实施例详细说明如下:
图1为本实用新型半导体封装材料的第一实施例的立体示意图。本实用新型的半导体封装焊接材料,其制作方法为在本焊接材料主体之一铜线11最外层形成一层薄金层12,该薄金层12是以电镀或熔接的制程方法或是以纳米技术成型于金线11表面,以形成一金包铜结构的焊接材料。其中包覆于铜线11最外层的薄金层12其厚度为至少为1纳米以上,或是由客户依照需求指定其厚度。
图2为本实用新型的第二实施例的立体示意图。此第二实施例是一带状焊接带,其制作方法如同图1的焊线,仅是把第一实施例的主体材料铜线11改为铜带21,并且同样的于铜带21表面电镀、熔接或以纳米技术方式包覆一薄金层22。
本实用新型的用于半导体封装的焊线与焊带,如图1与图2所示,其材料主体的铜线以及铜带材质为99.99%的纯铜,而铜线以及铜带表面包覆的薄金层材质为99.99%的纯金。当然铜线或铜带的材质也可依照作业需求作恰当的调整,如于99.99%的纯铜掺入微量杂质而成为铜合金的材质。而薄金层的材质除了为99.99%纯金外,也可以是同样具有不易变质、好保存且焊接作业特性佳的金合金材质。
本实用新型于铜线与铜带外部包覆一层薄金,可改善铜材质遇氧气容易氧化不易保存,且于焊接作业时必须外加氮氢混合气体的问题。
虽然本实用新型以前述的较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何熟习相像技艺者,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,这些更动与润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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