[实用新型]铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池无效
| 申请号： | 200620152275.8 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201051502Y | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘津平 | 申请（专利权）人： | 刘津平 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300052天津市和平*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟镓 硫化物 太阳能电池 | ||
1.一种铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：该电池衬底底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底表面或底面依次覆有金属背电极层、过渡层、含P型和/或n型半导体单层或多层叠合式光吸收层、缓冲层、透明导电层、集电栅和/或减反射膜层。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的衬底的厚度为0.1微米～15毫米，凹凸深度或高度为10纳米～25微米、间距为10纳米～25微米。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的金属背电极层的厚度为0.01～10微米。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的过渡层的厚度为10～200纳米；其材料选自氧化锌或硫化锌。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的含P型和/或n型半导体单层或多层叠合式光吸收层的总厚度为50纳米～10微米。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的缓冲层的厚度为10～300纳米；其材料选自氧化锌或硫化锌。
7.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的透明导电层的厚度为10～200纳米。
8.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的集电栅的厚度为0.5微米～3毫米。
9.根据权利要求1所述的铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池，其特征在于：所述的减反射膜层的厚度为10～200纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
