[实用新型]一种光伏组件无效
申请号: | 200620144525.3 | 申请日: | 2006-12-31 |
公开(公告)号: | CN201000890Y | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 黄向阳;何文琪;刘兴旺;谢士涛;于浩峰;邓晓敏 | 申请(专利权)人: | 深圳南玻幕墙及光伏工程有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518067广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏组件。
背景技术
光伏组件是通常所说的太阳能电池板,是用于将光子的能量转换成电能的装置。如图1-3所示,普通的光伏组件的结构为:在钢化超白玻璃3上设置多个电池片1,各电池片1之间通过电池片导线2相连。电池片1背面铺设有不透明绝缘材料4(TPT)。在光伏组件上还设置有铝合金边框5,各引出端子及旁路二极管设置在光伏组件背面的接线盒6内。接线盒6的体积通常较大,对光伏组件的外观和体积造成了一些不利影响。
另外,这些普通的光伏组件没有融雪功能,高纬度地区冬季多降雪,积雪覆盖在光伏组件上会导致光伏系统无法发电,如果不及时将光伏组件上的积雪除去,当积雪达到一定厚度时,可能压坏光伏组件。
用在光伏采光顶中的光伏组件大多接近水平安装。为了减少光伏组件上的积雪,一般可以将光伏组件的安装倾角设计为70度左右,但是这样在某些地区会偏离光伏组件的最佳倾角,减少了组件的发电量。另外,即使将光伏组件的安装倾角设计在70度左右,也不能使少量积雪自动滑落。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的光伏组件无法融雪、且接线盒较大的缺陷,提供一种光伏组件,它结构简单、可将其上覆盖的积雪融化。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种光伏组件,包括前、后两层钢化超白玻璃,在所述钢化超白玻璃之间设置有多个电池片,所述电池片通过电池片导线相互连接,并与组件引出线相连,其中,在所述前、后两层钢化超白玻璃之间,还设置有加热体,所述加热体通过加热体导线与加热体电源线相连。
在本实用新型所述的光伏组件中,所述钢化超白玻璃的一个端部设置有多个第一接线端子,各电池片导线通过所述第一接线端子与所述组件引出线相连以及旁路二极管相连。
在本实用新型所述的光伏组件中,所述加热体从各电池片之间的间隙穿过,两端分别与设置在电池片周围的加热体导线相连。
在本实用新型所述的光伏组件中,在所述钢化超白玻璃的两侧分别设置第二接线端子,所述加热体导线通过所述第二接线端子与所述加热体电源线相连。
在本实用新型所述的光伏组件中,所述加热体是加热丝、加热带、或者导电玻璃。
在本实用新型所述的光伏组件中,所述电池片是单晶硅电池片、多晶硅电池片、或者非晶硅电池片。
实施本实用新型的光伏组件,具有以下有益效果:在本实用新型的光伏组件中,设置了加热体,当光伏组件上有大量积雪时,可开启外部电源,使加热体发热,从而仅使用少量的电能即可将光伏组件上的积雪融化。另外,组件下端的积雪融化后,积雪块会在重力的作用下自然滑落。另外,由于将组件引出线以及旁路二极管设置在光伏组件的一端,与现有技术相比,节省了空间,使光伏组件的体积变小,便于安装、使用。适合于高纬度多降雪地区使用。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1是现有技术中普通光伏组件的主视图;
图2是现有技术中普通光伏组件的左视图;
图3是现有技术中普通光伏组件的后视图;
图4是本实用新型的光伏组件的主视图;
图5是本实用新型的光伏组件的左视图。
具体实施方式
如图4和图5所示,在本实用新型的光伏组件的实施例中,光伏组件包括前、后两层钢化超白玻璃11、12,在钢化超白玻璃11、12之间,设置有多个电池片13,电池片13为单晶硅电池片、多晶硅电池片、或者非晶硅电池片。各电池片13成行成列排列,且通过电池片导线14相连。根据需要,可采用多个电池片进行串联或并联,例如,36片电池相互串联,串联的2串电池片之间再相互并联。
在前、后两层钢化超白玻璃11、12一端,设置有多个第一接线端子19,各电池片导线14通过第一接线端子19与组件引出线20相连,以引出电能,且电池片导线14通过多个第一接线端子19与旁路二极管21相连。这种结构将组件引出线20以及旁路二极管21设置在光伏组件的一端,与现有技术相比,节省了空间,使光伏组件的体积变小,便于安装、使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的