[实用新型]同轴腔体谐振器间的感性耦合结构和采用该结构的滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及无线通信领域中的射频和微波滤波器，尤其涉及一种同轴腔体谐振器间的感性耦合结构和采用该结构的滤波器。

背景技术

过去的十年，是无线移动通信技术飞速发展的十年，滤波器已经成为无线移动通信建设中不可缺少的器件，尤其是在中国，由于通信频率分配上具有一定的特殊性，很多时候需要一些能够覆盖几个频段的滤波器，这就对产品的设计提出了更高的要求。

请参阅图1，现有的滤波器包括三个同轴腔体谐振器，第一同轴腔体谐振器11、第二同轴腔体谐振器12和第三同轴腔体谐振器13，这三个同轴腔体谐振器间采用的耦合结构是：第一同轴腔体谐振器11和第二同轴腔体谐振器12通过耦合窗口14耦合起来，而第二同轴腔体谐振器12和第三同轴腔体谐振器13通过耦合窗口15耦合起来，在第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间产生容性交叉耦合的方法是一良导体金属棒17(例如耦合哑铃)放置在第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间隔离壁18上开的耦合槽16中，容性交叉耦合可以实现通带低端的衰减极点，提高对低端的抑制度。第一同轴腔体谐振器11与第二同轴腔体谐振器12、第二同轴腔体谐振器12与第三同轴腔体谐振器13之间为主耦合，都采用窗口耦合，第一同轴腔体谐振器11与第三同轴腔体谐振器13之间的良导体金属棒1 7通过第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间开的耦合槽16实现了容性耦合，即“负“耦合。第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间的耦合强度通过良导体金属棒17的长度来控制，良导体金属棒17越长，即离第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间的距离越近，耦合越强，低端极点离通带距离越近，良导体金属棒17越短，耦合越弱，低端极点离通带距离越远。然而，有时候需要在第一同轴腔体谐振器11和第三同轴腔体谐振器13之间采用一种能生成通带高端的衰减极点，提高通带高端的抑制度的耦合结构。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种能生成通带高端的衰减极点，提高通带高端的抑制度的同轴腔体谐振器间的感性耦合结构和采用该结构的滤波器。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：提供一种同轴腔体谐振器间的感性耦合结构，其是至少三个同轴腔体谐振器之间的耦合结构，其中第一同轴腔体谐振器与第二同轴腔体谐振器之间采用窗口耦合，所述第二同轴腔体谐振器与第三同轴腔体谐振器之间采用窗口耦合，在所述第一同轴腔体谐振器和所述第三同轴腔体谐振器之间隔离壁上的耦合槽中放置有实现第一同轴腔体谐振器和所述第三同轴腔体谐振器之间的感性耦合的环型金属导体，所述环型金属导体与盖板连接。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的另一技术方案是：提供一种滤波器，其至少包括三个同轴腔体谐振器，其中第一同轴腔体谐振器与第二同轴腔体谐振器之间采用窗口耦合，所述第二同轴腔体谐振器与第三同轴腔体谐振器之间采用窗口耦合，在所述第一同轴腔体谐振器和所述第三同轴腔体谐振器之间隔离壁上的耦合槽中放置有实现第一同轴腔体谐振器和所述第三同轴腔体谐振器之间的感性耦合的环型金属导体，所述环型金属导体与盖板连接。

所述同轴腔体谐振器有N个，N大于或等于4，第N-1同轴腔体谐振器与第N同轴腔体谐振器之间采用窗口耦合，所述环型金属导体放置在所述第一同轴腔体谐振器和所述第N同轴腔体谐振器之间隔离壁上的耦合槽中。

所述环型金属导体为U型线，或为呈W形或月牙形的环型金属导体。

所述环型金属导体是纯铝或是表面镀银的导电材料。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型的同轴腔体谐振器间的感性耦合结构和采用该结构的滤波器在第一同轴腔体谐振器和第三同轴腔体谐振器之间隔离壁上的耦合槽中放置有实现第一同轴腔体谐振器和第三同轴腔体谐振器之间的感性耦合的环型金属导体，因此能生成通带高端的衰减极点，提高通带高端的抑制度。

附图说明

图1是现有的滤波器的立体示意图。

图2是本实用新型具体实施方式的滤波器的立体分解示意图。

具体实施方式