[实用新型]改进的半导体机台

权利要求书

1.一种改进的半导体机台，其中包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置，其特征是，

所述的挡板，设置于该制程室内，该挡板具有一抵接部；

所述的晶圆载盘，设置于该制程室内，该晶圆载盘具有一盘缘，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；以及

所述的承载装置，设置于该制程室内，该承载装置具有一顶端，该顶端连接于该晶圆载盘。

2.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，在该制程室内，该抵接部与该盘缘为相互抵接，该挡板与该晶圆载盘抵接之内隔离出一第一封闭空间，该挡板与该晶圆载盘抵接之外的制程室为一第二封闭空间。

3.如权利要求2所述的半导体机台，其特征是，该第一封闭空间将制程用的钯材位置包括之内，制程产生的钯材颗粒被阻隔于第一封闭空间内。

4.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该制程室为一晶圆沉积制程室。

5.如权利要求4所述的半导体机台，其特征是，该晶圆载盘具有一制程定位与一移载定位结构，该晶圆载盘位于该制程定位时该盘缘抵接于该抵接部。

6.如权利要求5所述的半导体机台，其特征是，该半导体机台还包括一钯材，对应钯材的材质不同，该制程定位与该靶材之间距为一可调整结构。

7.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该挡板为一环形结构，围绕于该晶圆载盘外围。

8.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该挡板材质为一不锈钢材质。

9.如权利要求8所述的半导体机台，其特征上，该不锈钢材质具有一粗操表面，且该粗操表面为铝电浆喷覆处理的表面。