[实用新型]具有微光学结构的发光二极管无效

专利信息
申请号: 200620120932.0 申请日: 2006-09-15
公开(公告)号: CN200986927Y 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 林三宝 申请(专利权)人: 林三宝
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 微光 结构 发光二极管
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及的是一种发光二极管,尤指一种具有微光学结构的发光二极管,可有效提高发光二极管的光源导出效率及发光效率。

背景技术

发光二极管(LED;Light-Emitting Diode)由在具有耗电量低、体积小、寿命长及发热量低等诸多优点,因此广泛使用在各种电子产品中。

现有的发光二极管是如图1所示,主要是在一透光基板11上设置有一磊晶层13,其中,磊晶层13是为第一材料层131及第二材料层133的层迭,并在第一材料层131及第二材料层133的交接处形成有一PN界面135。第一材料层131未设有第二材料层133的部分表面是设有至少一第一电极171,而第二材料层133的部分表面则设有至少一第二电极173。在对第一电极171及第二电极173导入一电源讯号时,第一材料层131及第二材料层133之间将存在有一偏压,并致使发光二极管10发光。

发光二极管10的第一材料层131、第二材料层131及透光基板11的折射率(Refractive Index)皆大在空气的折射率,例如,第一材料层131及第二材料层133是可由氮化镓(GaN)所制成,而透光基板11是可由蓝宝石(Sapphire)所制成。因此PN接口135所产生的光源,在由发光二极管10导出外部时,将可能会有全反射的情形发生,例如,由透光基板11导出的第一光源L1,及由第二材料层133导出的第二光源L2皆有可能会有全反射的情形发生。

当PN接口135所产生的光源,如第一光源L1及第二光源L2在导出发光二极管10时有全反射的情形发生,将可能会使得第一光源L1及第二光源L2在发光二极管10内部来回反射及消耗,并致使发光二极管10所产生的光源强度减弱,进而影响发光二极管10的光源导出效率及发光亮度。

为此,如何针对上述现有技术的缺点,设计出一种新颖的发光二极管,可有效提高PN接口所产生的光源的导出效率,以达到提高发光二极管的发光亮度,此即为本实用新型的创作重点。

发明内容

本实用新型的主要目的在于,提供一种具有微光学结构的发光二极管,用以克服上述缺陷。

本实用新型的又一目的在于,提供一种具有微光学结构的发光二极管,其中所述的微光学结构是可选择设置在一承载基板或一导电架上,通过此将可减化微光学结构的制作流程,并同样有利在发光效率的提升。

为达成上述目的,本实用新型提供一种具有微光学结构的发光二极管,其主要构造至少包括有:一透光基板;至少一微光学结构,设置在透光基板上,其中微光学结构与透光基板是由相同材质所制成;及一磊晶层,是包括有一第一材料层及一第二材料层的层迭,并设置在透光基板上。

又,本实用新型尚提供一种具有微光学结构的发光二极管,其主要构造是包括有:一承载基板;至少一微光学结构,是设置在承载基板上,其中微光学结构及承载基板是由相同的材质所制成;及一磊晶层,是设置在微光学结构上,并包括有一第一材料层及一第二材料层的层迭。

本实用新型又提供一种具有微光学结构的发光二极管,其主要构造是包括有:一导电架;至少一微光学结构,是设置在导电架上,其中微光学结构及导电架是由相同的材质所制成;及一磊晶层,是设置在微光学结构上,并包括有一第一材料层及一第二材料层的层迭。

本实用新型与现有技术比较,其有益效果在于,通过在透光基板上形成有一微光学结构,将可减低PN接口所产生的光源发生全反射的可能,进而提高发光二极管的发光亮度,以提高光源的导出效率。

附图说明

图1是现有发光二极管构造示意图;

图2A是本实用新型具微光学结构的发光二极管一较佳实施例的剖面示意图;

图2B是本实用新型上述实施例的立体示意图;

图2C是本实用新型的微光学结构又一实施例的俯视图;

图3A是本实用新型又一实施例的剖面示意图;

图3B是本实用新型上述实施例的立体示意图;

图3C是为本实用新型的微光学结构又一实施例的俯视图;

图4A是为本实用新型又一实施例的剖面示意图;

图4B是为本实用新型上述实施例的立体示意图;

图4C是为本实用新型又一实施例的俯视图;

图5是为本实用新型又一实施例的剖面图;

图6是为本实用新型又一实施例的剖面图;

图7是为本实用新型又一实施例的剖面图;及

图8A至图8C是分别为本实用新型微光学结构的制作流程图。

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