[实用新型]一种两次曝光用长掩模版

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路制造工艺技术领域，涉及集成电路制造工艺的光刻曝光中的光刻机技术，具体涉及一种两次曝光用长掩模版。

背景技术

随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小。特征线宽的不断缩小导致了芯片集成度的大幅度提高，但也给光学光刻工艺带来了巨大的挑战。

为了扩展光学光刻技术的最小线宽、延长现有光刻设备的技术使用寿命，在关键层次采用两次曝光技术是非常有吸引力的。但是两次曝光技术的缺点是必须用两块掩模版分别对同一层曝光两次，使曝光时间加倍，机器效率减半，因此会大大降低产量并大幅度增加成本，这是生产所不希望的；此外还有两次曝光导致的对准问题也令人担心。正是因为如此，两次曝光技术至今仍没有成为实际大生产所采用的技术，而是一直停留在实验室阶段。

业内人士都知道，使用加长掩模版可以提高两次曝光的效率，但是，由于加长掩模版其自身重力的存在，会出现由于掩模版的中部下垂而导致聚焦面不一致，聚焦平面弯曲的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足或缺陷，提供一种两次曝光用长掩模版，通过加大原长掩模版的宽度使两次曝光的图形区域位于其宽度方向的中心较平坦区域，以减少聚焦曲线的弯曲值并达到允许的弯曲指标范围。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种两次曝光用长掩模版，其实质性特点在于，

所述掩模版的宽度大于正常值；

当该掩模版的长度为250mm～350mm时，其宽度可为200mm～350mm；

所述掩模版上两次曝光的图形区域位于其中心较为平坦的区域内。

上述的一种两次曝光用长掩模版，其中，两次曝光的图形所构成的区域为长方形，该长方形区域的短边位于所述掩模版宽度方向的中心位置。

上述的一种两次曝光用长掩模版，其中，所述的掩模版被夹持时，其两个长边相对固定，两短边呈活动状态。

由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：

本实用新型通过采取加大原长掩模版宽度的方法，提供了一种两次曝光用长掩模版，利用该加宽的长掩模版，可使两次曝光的图形区域位于掩模版宽度方向的中心较平坦区域内，从而，减少聚焦曲线的弯曲值并最终达到允许的弯曲指标范围。

附图说明

通过以下实施例并结合其附图的描述，可以进一步理解本实用新型的目的、具体结构特征和优点。附图中，

图1为普通长掩模版的俯视结构示意图；

图2为普通长掩模版需要解决的重力下垂问题的结构示意图；

图3为普通长掩模版由于重力下垂导致的聚焦曲线弯曲的结构示意图；

图4为本实用新型涉及的掩模版其宽度增加前后的俯视比较效果图；

图5为掩模版宽度增加前后的掩模版下垂情况和聚焦曲线弯曲的效果比较图。

图中：1.第一块掩模图形；2.第二块掩模图形；3.加长的掩模版；4.两块掩模图形间的间距；5.长掩模版的短边；6.长掩模版的长边；7.是理想掩模版断面；8.实际的加长掩模版断面；9.重力方向；10.光刻机镜头；11.理想掩模版的聚焦曲线；12.实际弯曲掩模版的聚焦曲线；13.加长宽度前的掩模版的两长边；14.加长宽度后的掩模版的两长边；15.加长宽度后的掩模版宽；16.加宽掩模版宽度后的掩模版下垂情况；17.加宽掩模版宽度后的掩模版经镜头聚焦后的聚焦曲线。

具体实施方式

参见图1，本实用新型涉及的两次曝光用长掩模版，是通过加大长掩模版3的宽度使其超过正常的宽度值，从而使曝光图形区域位于长掩模版3中心较为平坦的区域内，以减少聚焦弯曲值并使其到达所允许的范围。

图1表示了普通长掩模版的俯视结构示意图，用于两次曝光的两个掩模图形1、2被设置在同一块加长的掩模版3上，两次曝光的掩模图形1、2位于加长掩模版3的中央，其相互间距4由所设计的划片槽宽度和所用镜头的放大倍数的乘积决定。通常这样掩模版的宽度方向为100mm～200mm，其典型值为150mm；长度方向250mm～350mm，其典型值为275mm。在夹持该掩模版时，最好使其长边6的两边固定，短边5的两边呈活动状态。

图2说明了普通长掩模版的重力下垂问题：如果我们沿方向5观察其断面，理想的掩模版7应当是完全水平的，但因加长掩模版受到重力9的作用，实际掩模版的情况如8所示，其两长边6由于受到夹持力的作用，所在的位置相对较高，但其中心所处的位置则相对较低。