[实用新型]大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具无效

专利信息
申请号: 200620048103.6 申请日: 2006-11-23
公开(公告)号: CN200979881Y 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 占贤武;孟世界 申请(专利权)人: 宁波安迪光电科技有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/075;F21S4/00;F21Y101/02
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所 代理人: 翟羽
地址: 315400浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 大功率 发光二极管 光源 装置 具有 灯具
【说明书】:

【技术领域】

本实用新型涉及发光二极管的封装技术领域,更确切地说,涉及一种大功率发光二极管光源装置的封装结构。

【背景技术】

与本实用新型相关的现有技术可参阅2002年3月27日公开的公开号为CN1341966A的中国专利申请,该实用新型专利申请揭示了一种大功率发光二极管发光装置,请参阅图5所示,该大功率发光二极管发光装置包括至少两个发光二极管芯片1’,并被安装在至少一个反射体2’上,反射体2’被安装在基板3’和散热器4’上,基板3’和散热器4’之间设置有导热胶5’。然而,该技术方案在封装过程中,由于荧光粉沉淀及点胶量不一致等原因,导致单个发光二极管芯片发出的光颜色很难保持一致,从而导致产品的整体光色不均匀,影响了整个发光二极管发光装置的发光效果。

【实用新型内容】

本实用新型所要解决的技术问题是克服上述缺陷,提供一种光色一致性较好的大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具。

本实用新型是通过以下技术方案实现的:本实用新型一种大功率发光二极管光源装置,包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜,所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内,所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部,所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面,所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料,所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。

一种灯具,包括一外壳、若干光源装置及出光板,所述光源装置收容于所述外壳内,所述出光板与外壳相连将光源装置封入外壳中,所述光源装置,包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜,所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内,其特征在于:所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部,所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面,所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料,所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。

与现有技术相比,本实用新型大功率发光二极管光源装置通过在陶瓷基座上直接开设阶梯型凹陷部,使得发光二极管芯片置于第一凹陷部内,同时在发光二极管芯片与第一凹陷部侧面之间的侧面间隙及所述发光二极管芯片上表面与所述第二凹陷部底面之间形成的上表面间隙内分别设置透光材料,从而使发光粉只设置在发光二极管芯片的光出射面上方的第二凹陷部内,在改善光效的同时,也很大程度上的提高了光色一致性。

【附图说明】

图1为本实用新型大功率发光二极管光源装置的局部剖视图。

图2为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座的局部放大剖视图。

图3为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座上阶梯型凹陷部内装入发光二极管芯片后的局部放大剖视图。

图4为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座上阶梯型凹陷部内封入硅胶和荧光分后的局部放大剖视图。

图5为现有技术大功率发光二极管发光装置结构图。

【具体实施方式】

请参阅图1所示,本实用新型一种大功率发光二极管发光装置10包括一陶瓷基座100、散热结构102、连接散热结构102和陶瓷基座100的导热胶101、若干发光二极管芯片3、覆盖所有发光二极管芯片3的透镜8以及用于连接外电源的电连接装置(未示出),所述发光二极管芯片3与该电连接装置电性连接。

请一并参阅图2、图3及图4所示,所述陶瓷基座100上设置有若干收容发光二极管芯片3的阶梯型凹陷部2,该阶梯型凹陷部2具有由第一凹陷部21和第二凹陷部22形成,所述第一凹陷部21侧面210与底面211围合有一第一收容空间212,所述第二凹陷部22侧面220与底面221围合有一第二收容空间222。

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