[实用新型]一种可避免贴膜时产生气泡的硅片台无效

专利信息
申请号: 200620047807.1 申请日: 2006-11-15
公开(公告)号: CN200969345Y 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 周海锋;齐宝玉;丁杰;曹轶宾 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 避免 贴膜时 产生 气泡 硅片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种硅片台,特别涉及一种可避免贴膜时产生气泡的硅片台。

背景技术

在半导体制程中,硅片需置放在硅片台上进行例如抛光等操作,此时硅片台上会贴敷有一层薄膜来辅助进行硅片的抛光,该薄膜与硅片台结合的面为一粘性面,而硅片台贴膜区域为实心区域,故在贴敷在硅片台的过程中会使该层膜与硅片台之间产生一些气泡残留,该些残留的气泡如不去除,则会造成后续在硅片台上进行硅片抛光时硅片的损坏或者硅片抛光的不平整。

因此在硅片台上进行贴膜操作时,需要检查该层膜与硅片台之间是否存在气泡,若存在的话,需要将该层膜揭掉再重新贴敷,有时需要多次重贴才能确保薄膜与硅片台之间不存在气泡。故上述硅片台会使贴膜过程变得复杂且难以掌控。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可避免贴膜时产生气泡的硅片台,通过该硅片台可简化贴膜过程且可避免贴膜时产生气泡,能极大地提高生产效率,并避免由于硅片台和薄膜之间残留气泡所造成的硅片损坏。

本实用新型的目的是这样实现的:一种可避免贴膜时产生气泡的硅片台,其上设有贴膜区域,其实质性特点在于:该硅片台在贴膜区域设有多个贯通该硅片台的排气通道。

在上述的可避免贴膜时产生气泡的硅片台中,该排气通道为对称的通孔,该通孔直径为1mm。

在上述的可避免贴膜时产生气泡的硅片台中,该排气通道以同心圆弧的形式排布在硅片台上,该圆弧宽度为1mm。

在上述的可避免贴膜时产生气泡的硅片台中,该排气通道平行排布在硅片台上,该排气通道宽度为1mm。

在上述的可避免贴膜时产生气泡的硅片台中,该硅片台为抛光硅片台。

本实用新型由于采用了上述的技术方案,使之与现有技术中硅片台的贴膜区域为实心区域相比,可简化贴膜过程且可避免贴膜时产生气泡,能极大地提高生产效率,并避免由于硅片台和薄膜之间残留气泡所造成的硅片损坏。

附图说明

本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台由以下的实施例及附图给出。

图1-图3为本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台的俯视图;

图4为在本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台上贴膜后的俯视图。

具体实施方式

以下将对本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台1作进一步的详细描述。

如图1-图3所示,本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台1在贴膜区域设有多个贯通硅片台1的排气通道10、20或30,排气通道10为对称的通孔,所述通孔直径为1mm,排气通道20以同心圆弧的形式排布在硅片台上,所述圆弧宽度为1mm,排气通道30平行排布在硅片台上,其宽度为1mm。本实用新型的硅片台为抛光硅片台。

需说明的是,上述硅片台1上的贴膜区域可为硅片台的全部区域或部分区域,本实施例中以贴膜区域为如图1-图3所示的为硅片台1的中心区域为例进行说明,但并非以此限制本实用新型。

图4所示的薄膜4,其设有一用以直接贴敷在硅片台上的粘性面(未图示)。在本实施例中,硅片台1为抛光硅片台,故相应的薄膜4与硅片直接接触的面设为可辅助进行硅片抛光的绒毛面,而在其他实施例中,薄膜4与硅片直接接触的面可据情做相应变更。

以下将结合图1-图4,以在本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台1上贴敷薄膜4来详述本实用新型的原理及功效,首先将薄膜4放置在硅片台1的贴膜区域上且将薄膜4贴敷在贴膜区域(即硅片台1的中心区域)上,此时薄膜4通过其粘性层(未图示)粘附在硅片台1上,然后借助外力挤压粘膜4,将残留在薄膜和硅片台1之间的4气泡挤压至硅片台1上的排气通道10、20或30中并排出至硅片台1外,故薄膜和硅片台1之间无气泡残留,即可在硅片台1上进行例如硅片抛光等操作。

综上所述,本实用新型的可避免贴膜时产生气泡的硅片台1可简化贴膜过程且可避免贴膜时产生气泡,并能极大地提高生产效率且避免由于硅片台1和薄膜4之间残留气泡所造成的硅片损坏。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200620047807.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top