[实用新型]用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板无效
| 申请号： | 200620046459.6 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN201007770Y | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨海鹏 | 申请（专利权）人： | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 200233上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 液晶显示器 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板，至少包括：
一透明基板(1)；
薄膜晶体管(2)；
栅电极(3)形成在与透明基板(1)直接接触的第一金属层(6)上，漏电极(5)和源电极(4)形成在第二金属层(7)上，第一金属层(6)和第二金属层(7)之间设置有半导体层(9)；透明基板(1)的底端设置有支柱(13)；
其特征在于所述栅电极(3)与源电极(4)交叠处沿着源电极(4)方向在栅电极(3)两侧的边缘上设置有突起(14)。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的突起(14)设置有1～4个。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的突起(14)设置有4个。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的半导体层(9)包括有n+Si半导体层(15)和a-Si半导体层(16)。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的突起(14)部分内半导体层(9)的边界靠近栅电极(3)的边界。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的第一金属层(6)和半导体层(9)之间设置有SiNx绝缘层。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体阵列基板，其特征在于所述的第二金属层(7)的上面设置有钝化层(10)。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的钝化层(10)上形成有像素电极(11)，像素电极(11)通过接触孔(12)与漏电极(5)相连接。
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