[实用新型]在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备

权利要求书

1、在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于设备中有依次连接的上料台、前锁定室、前保持室、前缓冲室、有旋转的孪生中频硅靶及电源以及等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置以及用等离子分解含氢源气体得到氢自由基而使氮化硅层暴露于氢自由基的氨的充入和质量流量控制器的磁控溅射镀膜工作室、后缓冲室、后保持室、后锁定室、下料台，和各室相连的真空抽气机组、控制系统、气动翻板阀门、加热系统。

2、根据权利要求1所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于设备中有对电池片运载并卧式传送的传输机构。

3、根据权利要求2所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于传输机构的传动轴具有通冷却水的结构。

4、根据权利要求2或3所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于传输机构具有按电池片规格分格的装片架，装片架组装有与传输机构传动轴及轮相配合的圆弧轨或V型轨或矩型轨。

5、根据权利要求1或2或3所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于磁控溅射镀膜工作室真空箱体壁具有通冷却水的结构。

6、根据权利要求1或2或3所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于加热系统采用红外灯管或不锈钢加热管。

7、根据权利要求1或2或3所述的在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于加热系统设置有至少一个预热室的预热子系统，至少一个预热室设置于上料台之前，预热室之前还设置有子上料台。