[发明专利]发光设备及其制造方法无效
申请号: | 200610172090.8 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101055886A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 李春倬 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 设备 及其 制造 方法 | ||
本申请要求于2006年4月10日提交的韩国专利申请No.10-2006-0032511的优先权和权益,将其全部内容完全包括在此并引入作为参考。
技术领域
本发明涉及发光设备及其制造方法。
背景技术
在平板显示设备中,发光设备优点在于其具有高响应速度和低能耗。因为不需要背光单元,也可以将发光设备制造得尺寸薄且重量轻。
特别地,有机发光设备在阳极和阴极之间具有有机发光层。来自阳极的空穴和来自阴极的电子在有机发光层内复合以产生空穴-电子对,即,激子。有机发光设备通过激子回到基态产生的能量发光。
图1A是现有技术的发光设备的俯视图,并且图1B是沿图1A的线路A-A’所取的横截面图。
参考图1A和1B,现有的发光设备100包括基片110,以及在基片110上形成阳极120和线路125,每个线路125包括线路125末端的接触部分126。线路125可包括传导层125A和在传导层125A上设置的金属层125B。在包括阳极120和具有接触部分126的线路125的基片110上形成绝缘层130。绝缘层130包括开口135和接触孔136,其中每个开口暴露每个阳极120的一部分,每个接触孔暴露每个接触部分126的一部分。
放射层150被设置在绝缘层130的开口135内,并且在绝缘层130上以倒圆锥的形状形成阻挡条140。在包括阻挡条140的基片110上设置阴极160。由阻挡条140形成阴极160的图样并且阴极160电连接至由接触孔136暴露的接触部分126和开口135内形成的放射层150。
如从图1B的字母“E”所指示的接触区域可见的,形成接触孔136以暴露接触部分126的上表面的一部分。因此,接触部分126和阴极160的接触面积变窄。
结果,在除了接触孔136所暴露的区域的接触部分126的区域上会发生绝缘层130的剥落现象。并且因为接触部分126和阴极160之间的接触面积十分狭窄,接触部分126和阴极160之间的界面阻力会增加。
发明内容
因此,本发明提供了一种有机发光设备,包括形成在基片上的第一电极和包括接触部分的线路,在第一电极和线路的一部分上形成的绝缘层,该绝缘层包括暴露第一电极的一部分的开口和暴露接触部分的整个上表面的接触孔,在该开口中形成的放射层,在该放射层和通过接触孔暴露的接触部分的上表面上形成的第二电极。
同样,本发明提供了一种制造发光设备的方法,包括在基片上形成第一电极和包括接触部分的线路,在第一电极和线路的一部分上形成绝缘层,该绝缘层包括暴露第一电极的一部分的开口和暴露接触部分的整个上表面的接触孔,在该开口中形成放射层,在该放射层和通过接触孔暴露的接触部分的上表面上形成第二电极。
附图说明
图1A是示出现有技术的发光设备的俯视图。
图1B是沿图1A的线路A-A’所取的横截面图。
图2A是根据本发明的实施例的发光设备的俯视图。
图2B是沿图2A的线路B-B’所取的横截面图。
图3A至3H是用于说明根据本发明的实施例制造发光设备的方法的每个过程的俯视图和横截面图。
图4至6是根据本发明的其他实施例的接触区域的横截面图。
具体实施方式
将参考附图描述实施例。但是,本发明不限于以下描述的一个实施例,而是可以以各种形式实施。在附图中,如果提到某一层位于不同层或基片上,则该层可以直接形成在不同层或基片上,或者可以在其中间插入另一层。相似的参考数字指相似的元件。
<实施例>
图2A是根据本发明的实施例的发光设备的俯视图。图2B是沿图2A的线路B-B’所取的横截面图。
参考图2A和2B,根据本发明的实施例的发光设备200包括基片210、第一电极220和线路225,每个线路225在末端具有接触部分226,其中,在基片210上设置第一电极220和线路225。第一电极220可以是阳极并且包括具有高功函数的传导膜。并且,每个线路225和接触部分226包括至少一个传导层225A并且可以形成为包括设置在传导层上的多重金属层225B的多重结构。
传导层225A可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO),并且金属层225B可包括钼(Mo)或铝(Al)。此外,金属层225B可以形成为包括第一Mo层、Al层、和第二钼层的三层结构。
线路225连接至随后形成的阴极260以提供电信号。当在左右方向中交替安排线路225以减小静区时,线路图样不受限制于此。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的