[发明专利]一种互补式金属氧化层半导体磁传感器无效
| 申请号： | 200610171657.X | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101212016A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周盛华;吴南健;杨志超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化 半导体 传感器 | ||
1.一种互补式金属氧化层半导体CMOS磁传感器，其特征在于，该磁传感器包括：
一偏置电路，用于为磁场感应场效应晶体管MagFET电流镜和差分放大器提供直流工作点；
一MagFET电流镜，用于将磁信号转换为双端电信号，并输出给差分放大器；
一差分放大器，用于将MagFET电流镜输入的双端电信号转换为单端信号并把信号放大，输出给压控振荡器；
一压控振荡器，用于将差分放大器输入单端信号转换为频率信号输出。
2.根据权利要求1所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述MagFET电流镜为磁电转换器，由一个N型和一个P型的MagFET连接构成。
3.根据权利要求2所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述P型MagFET的栅极接到其自身的一个漏极上；所述N型MagFET的栅极电压由所述偏置电路提供，控制MagFET电流镜的电流大小。
4.根据权利要求1所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述差分放大器的两个输入端分别接到N型和P型的MagFET交叉连接线上，将MagFET的双端输出信号转为单端输出信号，同时将信号放大。
5.根据权利要求1或4所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述差分放大器为一个一级的CMOS差分放大器。
6.根据权利要求1所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述压控振荡器由一个电压/电流转换器和一个基于RS触发器的振荡电路构成。
7.根据权利要求6所述的CMOS磁传感器，其特征在于，所述电压/电流转换器由一个电阻，一个N型的MOS管和一个P型的MOS管电流镜构成。
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