[发明专利]散热型半导体封装件及其所应用的散热结构

权利要求书

1.一种散热型半导体封装件，包括：

芯片承载件；

半导体芯片，接置并电性连接至该芯片承载件；以及

散热片，间隔一热传导介质材料而接着于该半导体芯片上，其中于该散热片上相对与热传导介质材料接着区域的周围表面形成有凹槽，且该凹槽表面形成有与热传导介质材料湿润效果不佳的阻碍层，以限制该热传导介质材料的湿润区域。

2.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该芯片承载件为球栅阵列式基板及导线架的其中之一。

3.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该半导体芯片具有相对的主动面及非主动面，以将其主动面间隔多个导电凸块而接置并电性连接至该芯片承载件，且使该散热件间隔热传导介质材料而接着于该半导体芯片非主动面。

4.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该散热片材质为金属铜，该热传导介质材料为焊锡材料，该阻碍层为氧化铜。

5.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该凹槽以雷射烧灼形成。

6.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该阻碍层为氧化金属层。

7.根据权利要求1所述的散热型半导体封装件，其中，该接着区域的面积可选择等于、小于及大于半导体芯片面积的其中之一。

8.一种散热结构，包括：

散热片，且该散热片预设有接着区，从而间隔一热传导介质材料而接着于半导体芯片上；

凹槽，形成于该散热片上对应于该接着区周围；以及

阻碍层，形成于该凹槽表面，且该阻碍层与该热传导介质材料湿润效果不佳。

9.根据权利要求8所述的散热结构，其中，该散热片材质为金属铜，该热传导介质材料为焊锡材料，该阻碍层为氧化铜。

10.根据权利要求8所述的散热结构，其中，该阻碍层为氧化金属层。

11.根据权利要求8所述的散热结构，其中，该阻碍层为利用雷射烧灼金属材质的散热片所产生于该凹槽表面的氧化金属层。

12.根据权利要求8所述的散热结构，其中，该半导体芯片具有相对的主动面及非主动面，以将其主动面间隔多个导电凸块而接置并电性连接至一芯片承载件，且使该散热件间隔热传导介质材料而接着于该半导体芯片非主动面。

13.根据权利要求8所述的散热结构，其中，该接着区的面积可选择等于、小于及大于半导体芯片面积的其中之一。