[发明专利]在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法无效
| 申请号： | 200610169752.6 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211760A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周慧英;曲胜春;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制备 均匀 有序 量子 结构 方法 | ||
1.一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：
步骤1：取一半导体衬底；
步骤2：把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上；
步骤3：将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入；
步骤4：剥离模板；
步骤5：退火。
2.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中所述的半导体衬底是所有半导体衬底。
3.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中阳极氧化模板是尺寸均匀的氧化铝通孔模板。
4.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中所述的离子是金属离子。
5.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中退火包括在原位退火或在氮气中快速退火。
6.根据权利要求1或5所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中退火温度是200℃-1000℃，时间为5秒到2小时。
7.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中量子结构包括注入的离子在半导体衬底中形成的量子结构，以及注入离子与组分结合形成的量子结构。
8.根据权利要求1所述的在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，其中的离子注入包括高能离子注入和低能离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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