[发明专利]晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种晶片处理室及其内衬。

背景技术

在半导体硅片加工中，对晶片的刻蚀或其他加工工艺通常在处理室内进行。工艺气体在处理室内被电离成等离子体，对晶片进行加工工艺。等离子体在对硅片进行加工的同时，也会对处理室壁造成污染或损伤，影响晶片的加工工艺。如图1所示，处理室一般采用内衬的结构来保护处理室的壁面。处理室上方设有石英窗，石英窗上设有的喷嘴采用喇叭形结构，石英窗与处理室壁之间设有调整支架，内衬覆盖在处理室内部表面防止刻蚀生产物污染处理室；晶片座吸附晶片，起着固定晶片的作用；内衬的应用可以有效的保证处理室连续有效的生产。

如图2所示，是现有的半导体晶片处理室的内衬的结构示意图，内衬包括内侧壁3、外侧壁2，内侧壁3与外侧壁2通过屏蔽板4连接，屏蔽板4包括含有多个屏蔽孔1，屏蔽板4的上部是反应腔室，下部是抽气腔室。等离子体在反应腔室对硅片进行刻蚀后，反应物通过屏蔽板4上的屏蔽孔1被抽气腔室抽走，等离子体在反应腔室分布的均与性对晶片刻蚀结果的影响很大，而反应腔室内工艺气体的注入和抽出形成的气体流场又对等离子体分布的均匀性起很大的影响。

现有技术中，屏蔽板4一般都垂直于内衬的轴线，这种内衬结构在气流流过屏蔽孔1时，由于气体流过的面积的有一定的局限性，从而限制了晶片表面气体流场均匀性的改善。

发明内容

本发明的目的是提供一种能有效改善晶片表面气体流场均匀性的晶片处理室的内衬，及包含该内衬的晶片处理室。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的晶片处理室的内衬，包括内侧壁、外侧壁，内侧壁与外侧壁通过屏蔽板连接，所述的屏蔽板与侧壁倾斜连接。

所述的屏蔽板与内衬轴线之间的夹角为5～80°。

所述的屏蔽板与内衬轴线之间的夹角为20～60°。

所述的屏蔽板与外侧壁连接的部位高于与内侧壁连接的部位。

所述的屏蔽板与内侧壁连接的部位高于与外侧壁连接的部位。

所述的屏蔽板上开有上下相通的屏蔽孔，所述的屏蔽孔的横截面的形状为圆形或椭圆形或多边形。

所述的屏蔽孔的方向平行于内衬轴线。

所述的屏蔽孔的方向垂直于屏蔽板。

所述的屏蔽孔的方向介于平行于内衬轴线的方向与垂直于屏蔽板的方向之间。

本发明的晶片处理室，所述晶片处理室内设有上述晶片处理室的内衬。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室，由于内衬屏蔽板采用斜面结构，斜面比平面面积有明显的增大，所以斜面结构可以增加屏蔽孔的数量或面积，即增加气流通过面积。可以根据需要选择屏蔽板的倾斜角度，及屏蔽孔的方向，从而达到改善晶片表面气体流场均匀性的目的。

主要适用于半导体晶片处理室，也适用于对其它类似的腔室。

附图说明

图1为现有技术中晶片处理室的结构示意图；

图2为现有技术晶片处理室的内衬；

图3为本发明晶片处理室的内衬。

具体实施方式

本发明晶片处理室的内衬，其较佳的具体实施方式如图3所示，包括内侧壁3、外侧壁2，内侧壁3与外侧壁2通过屏蔽板4连接，所述的屏蔽板4与侧壁倾斜连接。可以是屏蔽板4与外侧壁2连接的部位高于与内侧壁3连接的部位；也可以是屏蔽板4与内侧壁3连接的部位高于与外侧壁2连接的部位。

屏蔽板4与内衬轴线之间的夹角为5～80°，可以是5、20、45、60、80°等优选角度，最好为20～60°。

屏蔽板4上开有上下相通的屏蔽孔1，所述的屏蔽孔1的横截面的形状为圆形或椭圆形或多边形，也可以是其它需要的形状。

屏蔽孔1的方向可以平行于内衬轴线；也可以垂直于屏蔽板4；也可以介于平行于内衬轴线的方向与垂直于屏蔽板4的方向之间。这里所说的垂直于屏蔽板4是指屏蔽孔1的方向垂直于该孔所在处的切面方向。

本发明的晶片处理室内设有上述晶片处理室的内衬。由于内衬屏蔽板采用斜面结构，并在斜面上开屏蔽孔，由于斜面比平面面积有明显的增大，所以斜面结构可以增加屏蔽孔的数量或面积，即增加气流通过面积。可以根据需要选择屏蔽板的倾斜角度，及屏蔽孔的方向，从而达到改善晶片表面气体流场均匀性的目的。

主要适用于半导体晶片处理室，也适用于对其它类似的腔室。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。