[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1、一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：

位于基板上的半导体层，该半导体层包括沟道部分和位于所述沟道部分的两侧的欧姆接触部分；

覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上并与所述沟道部分大致对应的栅极；

与所述半导体层接触的源极和漏极；以及

与所述漏极接触的像素电极；

其中，所述半导体层的边沿部分具有至少两个台阶，所述栅绝缘层的靠近所述边沿部分的台阶部分的厚度与所述栅绝缘层的其他部分的厚度大致相同，并且所述栅极的靠近所述边沿部分的台阶部分的厚度与所述栅极的其他部分的厚度大致相同。

2、根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述半导体层包括多晶硅。

3、根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述半导体层还包括大致位于所述沟道部分与所述欧姆接触部分之间的轻掺杂漏极部分。

4、一种液晶显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

形成位于基板上的半导体层，该半导体层包括沟道部分和位于所述沟道部分的两侧的欧姆接触部分；

形成覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

形成位于所述栅绝缘层上并与所述沟道部分大致对应的栅极；

形成与所述半导体层接触的源极和漏极；以及

形成与所述漏极接触的像素电极；

其中，所述半导体层的边沿部分具有至少两个台阶，所述栅绝缘层的靠近所述边沿部分的台阶部分的厚度与所述栅绝缘层的其他部分的厚度大致相同，并且所述栅极的靠近所述边沿部分的台阶部分的厚度与所述栅极的其他部分的厚度大致相同；

其中，形成所述至少两个台阶的步骤包括以下步骤：

形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案并利用干法刻蚀气体对所述多晶硅层进行第一次干法刻蚀，所述干法刻蚀气体包括溴化氢(HBr)气体、氯气(Cl₂)、六氟化硫(SF₆)气体以及溴气(Br₂)中的至少两种；

将所述干法刻蚀气体替换为氧气(O₂)，并利用该氧气对所述光刻胶图案进行灰化；以及

将所述氧气替换为第二干法刻蚀气体，使用经灰化的光刻胶图案并利用该第二干法刻蚀气体对经第一次干法刻蚀的多晶硅层进行第二次干法刻蚀，该第二干法刻蚀气体包括溴化氢(HBr)气体、氯气(Cl₂)、六氟化硫(SF₆)气体以及溴气(Br₂)中的至少两种；

其中，所述用于第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀的干法刻蚀气体不与所述光刻胶图案发生反应，并将第一次干法刻蚀处理、灰化处理以及第二次干法刻蚀处理重复至少一次。

5、根据权利要求4所述的制造方法，其中，形成所述欧姆接触部分的步骤包括以下步骤：在形成了所述至少两个台阶之后，使用所述栅极作为掺杂掩模，用n+或p+离子来掺杂所述半导体层。6、根据权利要求4所述的制造方法，其中，形成所述半导体层的步骤包括以下步骤：形成大致位于所述沟道部分与所述欧姆接触部分之间的轻掺杂漏极部分。