[发明专利]液晶显示器件

说明书

本申请要求享有2006年5月9日提交的韩国专利申请No.2006-041601的优先权，在此引入其全部内容作为参考。 

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件。

背景技术

直到最近，显示器件仍使用典型的阴极射线管(CRT)。目前，大量的努力致力于研发各种诸如液晶显示(LCD)器件、等离子显示面板(PDP)、场致发光显示器以及电致发光显示(ELD)的平板显示器，以作为CRT的替代物。在这些类型的平板显示器中，LCD器件具有许多例如分辨率高、重量轻、外形薄、结构紧凑以及功耗低的优点。

通常，LCD器件包括间隔分开并彼此相对的两个基板以及夹在两者之间的液晶层。两个基板包括彼此相对的电极，从而在电极之间施加的电压产生横跨液晶层间的电场。液晶层中液晶分子的排列根据所产生电场的强度改变以沿着所产生电场的方向排列，从而改变LCD器件的透光率。通过改变在各像素区域中产生电场的强度，LCD器件在构成该LCD器件的各自像素区域中显示图像。目前，LCD器件需要宽的视角。垂直取向(VA)模式LCD器件具有这些特点。VA模式LCD器件使用具有负介电各向异性的液晶分子和垂直摩擦的定向层。

图1为示出了相关技术的VA模式LCD器件的横截面图，以及图2为示出了图1的液晶分子排列的横截面图。

参照图1，VA模式LCD器件60包括阵列基板B1、滤色片基板B2以及在两者之间的液晶层14。

阵列基板B1包括在第一基板22上彼此交叉以限定出像素区域P的栅线和数据线(未示出)，以及与栅线和数据线相连接的TFT。该TFT包括栅极 30、半导体层34、源极36和漏极38。像素电极46设置在像素区域P中并与漏极38相连接。栅绝缘层32设置在栅极30上。钝化层40设置在源极36和漏极38上。

滤色片基板B2包括在第二基板50上的黑矩阵52和滤色片层。滤色片层包括在相对应像素区域P中的红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色片图案54a、54b和54c。公共电极56设置在滤色片层上。在公共电极56上设置有脊58。所述宽视角通过使用脊58来实现。

参照图2，当通过对公共电极56和像素电极46施加电压以产生电场时，在脊58附近的电场由于脊58而扭曲。扭曲的电场相对于脊58对称。液晶分子70也相对于脊58对称排列，并相对于脊58对称地形成第一畴D1和第二畴D2。因此，透过第一畴D1和第二畴D2的光受到补偿，从而减小了色偏，并加宽了视角。

图3A和3B为示出了图1的滤色片基板的制造方法的横截面图。

参照图3A，使用掩模工序在基板50上形成黑矩阵52。黑矩阵52具有对应于像素区域P的开口。通过相应的掩模工序，红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色片图案54a、54b和54c形成在相应的像素区域P中。

参照图3B，公共电极56形成在红、绿和蓝滤色片图案54a、54b和54c上。通过掩模工序，脊58形成在公共电极56上。

通过上述工序，对于黑矩阵，红、绿和蓝滤色片图案，以及脊使用五轮掩模工序而制造出该滤色片基板。

因为公共电极直接形成在滤色片图案上，公共电极具有反映滤色片图案的阶梯部分的阶梯部分。因此，当定向层(未示出)形成在公共电极上并摩擦时，在该阶梯部分附近造成缺陷。并且，由于该阶梯部分，阵列基板和滤色片基板之间的盒间隙也不均匀，并且因此难于确定注入在两个基板之间的液晶量。

并且，公共电极由非晶态的铟锡氧化物构成并具有埃数量级的厚度。因此，滤色片图案的颜料可通过公共电极56流出，并因此由该流出的颜料将污染液晶。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种液晶显示器件，其基本上消除了由于相关技术带来的一个或多个技术问题。

本发明的优点在于为液晶显示器件提供合适的液晶注入。

本发明的其它特征和优点将在以下说明书中加以阐述，并且一部分从该说明书中可显然获知，或者可以通过实施本发明而了解。本发明的目的和其它优点将通过在书面说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和获得。

为了达到这些目的及其他优点以及根据本发明的目的，如此处所清楚阐明地，本发明提供一种液晶显示器件，包括：第一基板以及与该第一基板相对并具有像素区域的第二基板；在所述第一基板上并对应于所述像素区域的滤色片层；在所述滤色片层上并在所述像素区域中具有凹槽的平整层；在所述平整层上的公共电极；在所述第二基板上的像素电极；以及在所述公共电极和像素电极之间的液晶层。