[发明专利]一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种制备电子型高温超导体La_2-xCe_xCuO₄薄膜的方法，使用脉冲激光沉积设备；其特征在于，包括以下步骤：

1).按照La_2-xCe_xCuO₄配比称料，其中0.08≤x≤0.16；采用固相反应法制成La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；

2).选择衬底：衬底为SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；

3).将反应室内抽真空至背底真空优于2.0×10^-4Pa；

4).通过加热器将衬底加热至温度为675-800℃；

5).首先向反应室内通入氧气，调整反应室内的气压为10-20Pa；

6).然后对La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行清理；

7).调节靶基距为3-6cm，激光脉冲频率为1-6Hz，激光能量为180-240mJ，开始在衬底上制备La_2-xCe_xCuO₄，沉积La_2-xCe_xCuO₄薄膜时间为5-20分钟；

8).反应结束后，停止通入反应气体，并且将反应室内抽真空至真空度优于2×10^-4Pa，然后将步骤7)制备的La_2-xCe_xCuO₄薄膜样品降温至450-550℃，保持10-20分钟进行退火；之后自然冷却至室温，得到本发明的La_2-xCe_xCuO₄薄膜。

2.按照权利要求1所述的制备电子型高温超导体La_2-xCe_xCuO₄薄膜的方法，其特征在于，

所述步骤6)中对La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行清理的条件为：激光脉冲频率为1-6Hz，激光能量180-240mJ，时间10-20分钟。