[发明专利]内衬及包含该内衬的反应腔室有效
| 申请号： | 200610165334.X | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101206999A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘少锋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内衬 包含 反应 | ||
【权利要求书】：
1.一种内衬，内衬的底面开有多个气孔，其特征在于，所述内衬的底面的一侧高于另一侧。
2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述内衬的底面为阶梯型结构。
3.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述内衬的底面为一阶阶梯型结构，包括高阶底面和低阶底面。
4.根据权利要求3所述的内衬，其特征在于，所述高阶底面与低阶底面的分界线构成的夹角为60～300°。
5.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述内衬的底面为多阶阶梯型结构。
6.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述内衬的底面为倾斜型平面结构。
7.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述内衬的底面为倾斜型弧面结构。
8.一种反应腔室，反应腔室的壁上设有进气口、出气口，其特征在于，所述反应腔室内设有上述内衬，所述出气口设于内衬的底面较高一侧的下方。
9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述的出气口设于反应腔室的侧壁上。
10.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述的出气口设于反应腔室的底壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
