[发明专利]基站无线场强覆盖区域范围确定方法和装置有效
申请号: | 200610165233.2 | 申请日: | 2006-12-14 |
公开(公告)号: | CN101203015A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 马海南;张国华 | 申请(专利权)人: | 北京亿阳信通软件研究院有限公司 |
主分类号: | H04Q7/34 | 分类号: | H04Q7/34;H04Q7/30;H04B17/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100036北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基站 无线 场强 覆盖 区域 范围 确定 方法 装置 | ||
1.一种基站无线场强覆盖区域范围确定方法,其特征在于,包括步骤:
将所有基站的经纬度对应的位置点映射成平面上的全基站点集;
将所述全基站点集处理成剖分三角网格;
确定所述剖分三角网格中包含相同基站点的三角形的外接圆的圆心的位置,并将所述圆心依次相连形成的区域确定为所述基站的泰森多边形区域;
确定基站的泰森多边形区域与该基站初始圆覆盖区域的重叠区域,并将所述重叠区域的范围确定为所述基站的无线场强覆盖区域范围。
2.如权利要求1所述的基站无线场强覆盖区域范围确定方法,其特征在于,还包括:
利用基站中各小区的方位角对所述覆盖区域进行切割,确定所述基站中各小区的无线场强覆盖区域范围。
3.如权利要求1或2所述的基站无线场强覆盖区域范围确定方法,其特征在于,将所述全基站点集处理成剖分三角网格的步骤包括:
选取三个或三个以上的初始基站点形成当前基站点集,确定所述初始基站点的初始凸包;
确定初始凸包中满足空圆特性的三角形,并将所述三角形加入三角形链表中;
将除初始基站点以外的其他基站点依次插入到当前基站点集,每新插入一个后增基站点,即形成当前基站点集的当前凸包;
当所述后增基站点在所述当前凸包内部,并且在所述凸包包含的三角形的内部时,在三角形链表中删除所述三角形,依次将该三角形中的三条边确定为目的边,对所述目的边进行剖分处理;
当所述后增基站点在所述当前凸包内部,并且在所述凸包包含的三角形边上时,在三角形链表中删除所述三角形,依次将该三角形中除后增基站点所在边以外的边确定为目的边,对所述目的边进行剖分处理;
当所述后增基站点在所述当前凸包边上时,在三角形链表中删除包含后增基站点的三角形,将该三角形中除后增基站点所在边以外的边确定为目的边,对所述目的边进行剖分处理;
当所述后增基站点在所述当前凸包的外部时,以当前凸包上的任意一点为起始点,沿所述凸包逆时针找到使所述后增基站点在其右侧的边;当所述边的数量为一个时,确定该边为目的边,将所述目的边的两端点与所述后增基站点相连,形成新的当前凸包,并对所述目的边进行剖分处理;当所述边数量为两个或两个以上时,选取所述边形成的边链的端点,将所述端点与所述后增基站点相连,形成新的当前凸包,并依次确定所述边为目的边,依次对所述目的边进行剖分处理。
4.如权利要求3所述的基站无线场强覆盖区域范围确定方法,其特征在于,针对目的边按照以下步骤进行剖分处理:
当所述目的边在所述当前凸包边上时,将所述目的边与所述后增基站点形成的三角形加入到三角形链表中;
当所述目的边在所述当前凸包内部时,从三角形链表中获取包含所述目的边的三角形,当该三角形不在所述目的边与后增基站点形成的三角形的外接圆中时,将所述目的边与后增基站点形成的三角形加入到三角形链表中;否则,当该三角形在所述目的边与后增基站点形成的三角形的外接圆中时,取消原目的边,确定该三角形中的目的边之外的两条边为目的边,依次对所述的边继续进行剖分处理,并从三角形链表中删除该三角形。
5.如权利要求1所述的基站无线场强覆盖区域范围确定方法,其特征在,所述基站点的泰森多边形区域的确定步骤包括:
查询包含相同基站点的三角形,将其确定为关联三角形,当所述基站点在所述凸包的内部时,将所述关联三角形的外接圆的圆心依次相连形成的封闭区域确定为所述基站点的泰森多边形区域。
当所述基站点在所述凸包的边上时,将所述关联三角形的外接圆的圆心依次相连,形成边链;确定该边链的头端点和尾端点与所述基站点形成的夹角,确定该夹角的角平分线的延长线与基站初始圆覆盖区域的交点的位置,将所述交点与所述头端点和尾端点相连形成的区域确定为所述基站点的泰森多边形区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京亿阳信通软件研究院有限公司,未经北京亿阳信通软件研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610165233.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电工硅钢片的摇片性测试装置及方法
- 下一篇:半导体硅片刻蚀工艺的控制方法