[发明专利]半导体激光装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光装置，是发射第一波长激光的第一半导体激光元件和发射第二波长激光的第二半导体激光元件形成在同一个衬底上而构成的单片型半导体激光装置，其特征在于：

上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件分别包括：

双重异质结构，是至少由第一导电型包层、活性层及第二导电型包层按照上述顺序叠层而成的，和

山脊状导波路，包含在上述第二导电型包层的至少上部和它的上面设置的接触层；此外，

上述各山脊状导波路的两侧侧壁及它的周围形成了第一导电型的电流阻挡层，并且

在上述电流阻挡层之上形成了漏电防止层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

在上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件中的至少一个半导体激光元件的上述双重异质结构中，产生了至少到达上述活性层的空洞。

3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述空洞到达了上述衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层的厚度在0.1微米以上。

5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层是由硅、氮化硅、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、氧化铌或氢化非晶硅构成的单层膜或者由两层以上的上述单层膜叠层而成的多层膜。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层，沉积在上述电流阻挡层中除了形成在上述各山脊状导波路两侧侧壁上以外的其他部分上。

7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层，沉积在上述电流阻挡层中距离上述各山脊状导波路1微米以上的部分上。

8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层，也形成在使上述第一半导体激光元件和上述第二半导体激光元件分离的沟槽中。

9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述漏电防止层的电阻率，在3.0×10³欧姆·米以上。

10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述电流阻挡层是由半导体层构成的。

11.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述电流阻挡层，是由n型半导体层和p型半导体层相互交替一个循环以上叠层而成的多层膜构成的。

12.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件各自所包含的上述第一导电型包层及上述第二导电型包层是由包含相同元素的材料构成的。

13.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件各自所包含的上述第一导电型包层及上述第二导电型包层是由含有磷的材料构成的。

14.根据权利要求1～13中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述第一波长的激光是红外激光，

上述第二波长的激光是红色激光。

15.一种半导体激光装置，是发射第一波长激光的第一半导体激光元件和发射第二波长激光的第二半导体激光元件形成在同一个衬底上而构成的单片型半导体激光装置，其特征在于：

上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件分别包括：

双重异质结构，是至少由第一导电型包层、活性层及第二导电型包层按照上述顺序叠层而成的，和

山脊状导波路，包含在上述第二导电型包层的至少上部和它的上面设置的接触层，和

支撑部，是由上述第二导电型包层的至少上部构成且在上述山脊状导波路的两侧按照所规定的间隔设置而成的；此外，

在上述各山脊状导波路的两侧侧壁、上述各支撑部中位于上述各山脊状导波路一侧的侧壁、以及上述各山脊状导波路和上述各支撑部之间形成了第一导电型的电流阻挡层，并且

在上述电流阻挡层之上形成了漏电防止层。