[发明专利]多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种多晶硅基片的结晶度的测量方法、用该方法制备有机发光显示器的方法及用该方法制成的有机发光显示器，更具体地说，它涉及一种用拉曼光谱曲线来测量多晶硅基片的结晶度的方法、用该方法制备有机发光显示器的方法及用该方法制成的有机发光显示器。

背景技术

由于多晶硅具有比非晶硅(简称a-Si)高的迁移率，所以多晶硅被用于各种电子器件，诸如太阳能电池、平板显示器等。

多晶硅的迁移率与多晶硅的结晶度有关。评估结晶度的方法包括拉曼光谱分析法。

当用强的单色光辐照透明材料并分析由该透明材料所散射的光谱时，除了看到与入射光相同波长的谱线，还可观测到一些波长比入射光的波长更长或更短的谱线。这种现象称之为拉曼效应。拉曼光谱分析法利用的就是这种拉曼效应。

一般说来，多晶硅的结晶度是根据拉曼光谱曲线的半高全宽(FWHM)来评估的。具体地说，随着拉曼光谱曲线半高全宽的减小，多晶硅的结晶度增加。

然而，根据拉曼光谱曲线的半高全宽来测量结晶度的方法存在某些问题，使得该方法变得不可靠。

此外，上述测量结晶度的方法还有一个问题就是该方法没有考虑阈值电压(Vth)的离散性，而这却是薄膜晶体管的重要特性。

发明内容

本发明的一些方面和示例性实施例提供了一种测量多晶硅基片的结晶度的更可靠的方法。

此外，本发明还提供了一种具有优良的电学特性(例如迁移率和阈值电压离散)的有机发光显示器，以及制备这种显示器的方法。

根据本发明的一个方面，测量多晶硅结晶度的方法包括采用单色光辐照多晶硅基片来得到拉曼光谱曲线；以及使用下述公式根据该拉曼光谱曲线来计算多晶硅基片的结晶度：结晶度＝多晶峰的面积/(非晶峰面积+多晶峰面积)。

根据本发明的一个方面，计算多晶硅基片结晶度的方法可包括将拉曼光谱曲线去卷积成非晶峰和多晶峰；根据拉曼光谱曲线去卷积过程中所得到的数据来计算非晶峰面积和多晶峰面积；以及在上述公式中，利用计算所得到的非晶峰面积和计算所得到的多晶峰面积来计算结晶度。

根据本发明的一个方面，非晶峰的中心可位于480cm^-1，而多晶峰的中心可位于517cm^-1。

根据本发明的一个方面，制备有机发光显示器的方法包括通过使非晶硅基片结晶化来制造多晶硅基片；采用单色光辐照该多晶硅基片来得到拉曼光谱曲线；对利用下述公式从该拉曼光谱曲线得到的所述多晶硅基片的结晶度进行检验：结晶度＝多晶峰的面积/(非晶峰面积+多晶峰面积)；以及根据对所述多晶硅基片的结晶度进行检验的结果，利用多晶硅基片制备薄膜晶体管。

根据本发明的一个方面，多晶硅基片的制备可包括利用固相结晶法(SPC)、准分子激光退火法(ELA)、金属诱导结晶法(MIC)、金属诱导横向结晶法(MILC)或者连续横向固化法(SLS)来使非晶硅基片结晶化。

根据本发明的一个方面，只要在多晶硅基片结晶度的检验中确定多晶硅基片的结晶度等于或者大于70％，就可用它来制备薄膜晶体管。

本发明的其它方面和/或优点将在后续的说明中得到部分阐述，并且可以通过说明书部分使之显而易见，或者通过本发明的实施得到进一步的了解。

附图说明

通过以下结合附图的典型实施例的描述，本发明的上述的和/或其它的方面和优点将变得更为显而易见和更易于理解，附图包括：

图1是根据本发明示例性实施方案的测量多晶硅基片结晶度的方法的流程图；

图2是结晶度为32.8％的多晶硅基片的拉曼光谱曲线；

图3是结晶度为49.7％的多晶硅基片的拉曼光谱曲线；

图4是结晶度为75.5％的多晶硅基片的拉曼光谱曲线；

图5是对应于各结晶度的拉曼光谱曲线的半高全宽(FWHM)和PMOS阈值电压(Vth)的曲线图；

图6是结晶度为32.8％的多晶硅基片的ID-Vg特性曲线；

图7是结晶度为49.7％的多晶硅基片的ID-Vg特性曲线；

图8是结晶度为75.5％的多晶硅基片的ID-Vg特性曲线；以及

图9是根据本发明示例性实施例的制备有机发光显示器的方法的流程图。

具体实施方式

附图所显示的实例将作为本发明的示例性实施例的详细参考，在附图中，相同的标号表示类同的元件。下面参考各附图来描述各实施例以说明本发明。

图1是根据本发明示例性实施例的测量多晶硅基片结晶度的方法的流程图。