[发明专利]用二氟化氙选择性蚀刻氮化钛无效
| 申请号： | 200610162431.3 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101192508A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴定军;E·J·小卡瓦克基 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;C23C16/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;段晓玲 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化 选择性 蚀刻 氮化 | ||
1.用于从含有二氧化硅或者氮化硅的表面选择性蚀刻氮化钛的方法，包括以下步骤：
将所述含有二氧化硅或者氮化硅的表面和含有二氟化氙的蚀刻剂气体在接触区中接触，从而在所述二氧化硅或者氮化硅转变成挥发性组分之前优先将所述氮化钛选择性转变成挥发性物质；和
从所述接触区去除所述挥发性物质。
2.权利要求1的方法，其中所述二氟化氙在引入所述接触区之前预先形成，所述接触的温度至少是100℃。
3.权利要求2的方法，其中所述接触区中的压力至少为0.1托。
4.权利要求2的方法，其中所述表面涂覆有二氧化硅。
5.权利要求2的方法，其中所述接触过程中的温度为150-500℃。
6.权利要求2的方法，其中所述压力为0.2-10托。
7.权利要求1的方法，其中所述二氟化氙通过氙和氟化合物的反应而原位形成。
8.权利要求7的方法，其中所述二氟化氙的原位形成是通过氙和所述氟化合物在远程等离子体发生器中的接触来进行的。
9.权利要求8的方法，其中所述氟化合物选自NF3、C2F6、CF4、C3F8和SiF6。
10.权利要求8的方法，其中所述接触区中的温度为50-500℃。
11.权利要求8的方法，其中所述蚀刻剂气体包括所述原位形成的二氟化氙和氩气。
12.权利要求8的方法，其中所述Xe和氟化合物的摩尔比是1∶10-10∶1。
13.权利要求8的方法，其中所述接触区中采用的温度是100-300℃。
14.权利要求8的方法，其中所述压力为1-10托。
15.用于从半导体沉积室中清洁不希望有的沉积残余物的方法，其中所述不希望有的沉积残余物和蚀刻剂气体接触以将所述不希望有的残余物转变成挥发性物质并随后从所述沉积室中去除所述挥发性物质，改进之处包括：
采用二氟化氙作为所述蚀刻剂气体，从含有二氧化硅或者氮化硅表面的半导体沉积室中去除包括氮化钛的不希望有的沉积残余物。
16.权利要求15的方法，其中所述二氟化氙在与所述不希望有的残余物接触之前预先形成。
17.权利要求16的方法，其中所述接触过程中的温度是150-500℃，所述压力是0.2-10托。
18.权利要求15的方法，其中所述二氟化氙通过氙和氟化合物的反应而原位形成，所述二氟化氙的原位形成是通过氙和所述氟化合物在远程等离子体发生器中接触来进行的。
19.权利要求18的方法，其中所述氟化合物选自NF3、C2F6、CF4、C3F8和SiF6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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