[发明专利]有机电致发光显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200610162355.6 | 申请日: | 2006-12-14 |
公开(公告)号: | CN101097938A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 朴冏敏;李锡宗;朴宰希;柳相镐 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光显示器件,包括:
彼此相对且包含多个像素区域的第一和第二基板;
彼此交叉以限定所述多个像素区域的栅线和数据线;
平行于栅线并与栅线分离的电源线;
在第一基板上的所述多个像素区域的每个中的彼此相连的开关元件和驱动元件;
在第一基板上并与驱动元件相连的用于注入电子的阴极;
在阴极上的氧化层;
在氧化层上的注入层,注入层包括具有比阴极的材料高的反应率的碱金属;
在注入层上的有机发光层;
在有机发光层上的缓冲层;和
在缓冲层上的透明导电材料的阳极,用于通过缓冲层将空穴注入到有机发光层中。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,有机发光层包括注入层上的电子注入层、电子注入层上的电子传输层、电子传输层上的发光材料层、发光材料层上的空穴传输层、空穴传输层上的空穴注入层。
3.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,缓冲层防止空穴注入层被阳极损坏,并将来自阳极的空穴注入到空穴注入层中。
4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,缓冲层包括CuPC和V2O5之一。
5.根据权利要求4所述的器件,其特征在于,有机发光层包括注入层上的电子注入层、电子注入层上的电子传输层、电子传输层上的发光材料层、和在发光材料层上的空穴传输层。
6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,缓冲层防止空穴传输层被阳极损坏,并将来自阳极的空穴注入到空穴传输层中。
7.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,有机发光层包括注入层上的电子传输层、电子传输层上的发光材料层、发光材料层上的空穴传输层、和在空穴传输层上的空穴注入层。
8.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括存储电容器,其包括第一和第二存储电极以及在第一和第二存储电极之间的电介质层,其中第一和第二存储电极分别从电源线和开关元件延伸。
9.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,开关元件和驱动元件的每个包括栅极、半导体层和彼此分离的源极和漏极,其中开关元件的漏极与驱动元件的栅极相连,阴极与驱动元件的漏极相连。
10.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,开关元件和驱动元件中的至少一个的源极包括U形和环形之一,开关元件和驱动元件中的至少一个的漏极包括棒形和盘形之一。
11.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,进一步包括:
在栅线末端的栅焊盘;
在数据线末端的数据焊盘;和
在电源线末端的电源焊盘。
12.根据权利要求11所述的器件,其特征在于,栅线、栅焊盘、电源线和电源焊盘由彼此相同的层和相同的材料形成。
13.根据权利要求9所述的器件,其特征在于,半导体层包括非晶硅。
14.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,透明导电材料包括ITO和IZO之一。
15.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,阴极包括导电材料,其具有比阳极低的功函数。
16.根据权利要求15所述的器件,其特征在于,导电材料包括Al和AlNd之一。
17.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,阴极形成在所述多个像素区域的每个中,阳极形成在第一基板的整个表面上。
18.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,阴极和有机发光层通过注入层彼此电连接,没有发生短路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的