[发明专利]薄膜晶体管面板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：

提供一硅晶圆，该硅晶圆为p型半导体材料；

形成一磊晶层于该硅晶圆正面，该磊晶层为n型半导体材料；

以该磊晶层为导电通道形成多数个薄膜晶体管结构以及对应该多数薄膜晶体管结构的多数个透明电极；

接合一透明基板于该硅晶圆正面；

除去该硅晶圆；

形成一透明绝缘层于该磊晶层下表面；及

蚀刻曝露出该透明电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中形成该薄膜晶体管结构以及该透明电极，包含下列步骤：

在该磊晶层形成图案化的晶体管薄膜；

形成一栅极绝缘层覆盖该磊晶层；

在该栅极绝缘层上形成该透明电极，与对应该晶体管薄膜的位置上形成一栅极电极；

形成一层间绝缘层覆盖该透明电极、该栅极电极与该栅极绝缘层；

形成一金属导线层于该层间绝缘层上；及

形成一保护层于该金属导线层上。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：更包含下列步骤：

形成一对位标记于该栅极绝缘层上。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：更包含下列步骤：

形成一滤色层(color filter layer)于该保护层上。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中除去该硅晶圆，包含下列步骤：

湿蚀刻该硅晶圆并以电化学蚀刻停止方式，将蚀刻停止于该硅晶圆与磊晶层的界面，除去该硅晶圆并留下该磊晶层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中除去该硅晶圆，包含下列步骤：

以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)方式磨除部分该硅晶圆；及

湿蚀刻尚未磨除的该硅晶圆，并以电化学蚀刻停止方式，将蚀刻停止于该硅晶圆与磊晶层的界面，除去该硅晶圆并留下该磊晶层。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中接合该透明基板的步骤之前，更包含下列步骤：

形成一黑色遮光层(black matrix layer)于该薄膜晶体管结构上。

8.一种薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：

提供一硅晶圆，该硅晶圆为p型半导体材料；

形成一磊晶层于该硅晶圆正面，该磊晶层为n型半导体材料；

以该磊晶层为导电通道形成多数个薄膜晶体管结构；

接合一透明基板于该硅晶圆正面；

除去该硅晶圆；

形成一透明绝缘层于该磊晶层下表面；及

形成多数个透明电极于该透明绝缘层下表面。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中形成该薄膜晶体管结构，包含下列步骤：

在该磊晶层形成图案化的晶体管薄膜；

形成一栅极绝缘层覆盖该磊晶层；

形成一栅极电极于该栅极绝缘层上对应该晶体管薄膜的位置；

形成一层间绝缘层覆盖该栅极电极与该栅极绝缘层；

形成一金属导线层于该层间绝缘层上；及

形成一保护层于该金属导线层上。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：更包含下列步骤：

形成一对位标记于该栅极绝缘层上。

11.如权利要求8所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中除去该硅晶圆，包含下列步骤：

湿蚀刻该硅晶圆并以电化学蚀刻停止方式，将蚀刻停止于该硅晶圆与磊晶层的界面，除去该硅晶圆并留下该磊晶层。

12.如权利要求8所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：其中除去该硅晶圆，包含下列步骤：

以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)方式磨除部分该硅晶圆；及

湿蚀刻尚未磨除的该硅晶圆，并以电化学蚀刻停止方式，将蚀刻停止于该硅晶圆与磊晶层的界面，除去该硅晶圆并留下该磊晶层。