[发明专利]包括n+界面层的可变电阻随机存取存储器

权利要求书

1.一种可变电阻随机存取存储器，包括：

下电极；

n+界面层，形成在所述下电极上；

形成在所述n+界面层上的缓冲层；

氧化物层，其形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性；及

上电极，形成在所述氧化物层上，

其中所述n+界面层由选自包括ZnOx、TiOx和IZOx的欠氧氧化物，及包括ZnO、TiO和IZO的高度掺杂以n型杂质的氧化物构成的组的至少一种形成。

2.如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述氧化物层由p型过渡金属氧化物形成。

3.如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述氧化物层是Ni氧化物层。

4.如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述下电极由选自Ni、Co、Cr、W、Cu、Ti、或这些金属的合金构成的组的一种形成。

5.如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述缓冲层由n型氧化物形成。

6.如权利要求5的可变电阻随机存取存储器，其中所述缓冲层由选自Ir氧化物、Ru氧化物、Zn氧化物、和IZO构成的组的至少一种形成。

7.如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述n+界面层和所述缓冲层由相同材料形成。