[发明专利]液晶显示器件及其制造方法无效
申请号: | 200610156394.5 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101071238A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 金孝昱;林柄昊 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1、一种液晶显示器件,包括:
彼此交叉以在基板上限定像素区域的栅线和数据线;
连接到栅线的栅极;
栅极上的栅绝缘层;
栅绝缘层上的有源层;
彼此分开并分别具有彼此相对的内侧的有源层上的源极和漏极,其中源极连接到数据线;
在有源层以及各源极和漏极之间的欧姆接触层;
在有源层之上并具有外侧的遮蔽图案,其中至少一外侧与所述源极和漏极的至少一内侧相面对;以及
在像素区域中并连接到漏极的像素电极。
2、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述遮蔽图案的外侧与所述源极和漏极的内侧相面对。
3、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述遮蔽图案与源极和漏极以及欧姆接触层之一重叠。
4、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述遮蔽图案的两端位于所述有源层的外侧。
5、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述源极具有“U”形,所述漏极具有条形,并且所述遮蔽图案具有“U”形。
6、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括在有源层上方并具有其它外侧的其它遮蔽图案,其中该其它外侧的至少其中之一与所述源极和漏极的内侧的至少其中之一相面对。
7、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述有源层被栅极覆盖。
8、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述栅极为栅线的部分。
9、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述栅线在该栅线和数据线的交叉处具有孔。
10、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括在数据线下方并从源极下方的欧姆接触层延伸的半导体图案。
11、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括与栅线重叠并接触像素电极的存储电极,以及在存储电极下方并由与欧姆接触层相同的材料制成的半导体图案。
12、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述像素电极接触像素区域中的栅绝缘层。
13、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括在栅线一端的栅焊盘电极和在数据线一端的数据焊盘电极。
14、根据权利要求13所述的器件,其特征在于,还包括通过栅绝缘层的栅焊盘接触孔接触栅焊盘电极的栅焊盘电极终端,以及接触数据焊盘电极的数据焊盘电极终端。
15、根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述有源层包括本征非晶硅、所述欧姆接触层包括掺杂杂质的非晶硅,并且所述遮蔽图案包括无机材料。
16、一种液晶显示器件的制造方法,包括:
在基板上形成栅线和栅极;
在栅极上形成栅绝缘层;
在栅绝缘层上形成有源层并在有源层上形成具有外侧的遮蔽图案;
形成与栅线交叉的数据线以限定像素区域;
形成彼此分开并具有内侧的源极和漏极;
在有源层以及各源极和漏极之间形成欧姆接触层,其中至少一所述外侧与所述源极和漏极的至少一内侧相面对;以及
形成在像素区域中并连接到漏极的像素电极。
17、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述遮蔽图案的外侧与所述源极和漏极的内侧相面对。
18、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述遮蔽图案与源极和漏极以及欧姆接触层之一重叠。
19、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述遮蔽图案的两端在有源层的外侧。
20、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述源极具有“U”形,所述漏极具有条形,并且所述遮蔽图案具有“U”形。
21、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,还包括在有源层上方形成并具有其它外侧的其它遮蔽图案,其中该其它外侧的至少其中之一与源极和漏极的内侧的至少其中之一相面对。
22、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述有源层被栅极覆盖。
23、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述栅极为栅线的部分。
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