[发明专利]发光二极管荧光粉发射光谱测量方法有效
申请号: | 200610154739.3 | 申请日: | 2006-11-21 |
公开(公告)号: | CN101191770A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 潘建根;沈海平 | 申请(专利权)人: | 杭州远方光电信息有限公司 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所 | 代理人: | 戴晓翔 |
地址: | 310053浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 荧光粉 发射光谱 测量方法 | ||
1.发光二极管荧光粉发射光谱测量方法,其特征在于它包括以下步骤:
(一)用至少一个LED作为激发源,使其发出的激发光照射到被测荧光粉上而激发荧光粉发光,在被测荧光粉所发出光线的光路上设置一光学接收件以接收荧光粉发出的光。
(二)使用光谱辐射测试仪对光学接收件接收到的光进行光谱测量。
(三)将所测得的光谱数据通过解调分离算法计算得到待测荧光粉的发射光谱。
2.根据权利要求1所述的发光二极管荧光粉发射光谱测量方法,其特征在于:所述的激发源为蓝光LED。
3.根据权利要求2所述的发光二极管荧光粉发射光谱测量方法,其特征在于:在LED激发源发光光路上设置聚光透镜和窄带滤光片,使激发光通过聚光透镜和窄带滤光片后再照射到被测荧光粉上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管荧光粉发射光谱测量方法,其特征在于所述的解调分离算法包括以下步骤:
(一)测量待测荧光粉发出的光的光谱St(λ),将待测荧光粉换成标准白板,测量被反射的激发光的光谱Ss(λ);
(二)将每个波长点λi上的光谱数据按下式进行带宽解调:
(三)按下式将待测荧光粉的发射光谱从St*(λ)中分离:Sm(λ)=St*(λ)-Ss*(λ)·k,其中Sm(λ)为待测荧光粉的发射光谱,k为比例系数;
(四)将Sm(λ)用平滑算法进行数据处理,得到最终的待测荧光粉发射光谱。
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