[发明专利]静电放电防护电路的布局结构及其制造方法

权利要求书

1.一种静电放电防护电路的布局结构，其包括：

一基底；

一防护组件，配置在该基底上，该防护组件用以接收一静电放电电流从而保护一内部电路不受该静电放电电流的影响；以及

一电阻，配置在该基底上，且该电阻的部分或全部面积配置在该防护组件的区域内，其中，该电阻的一端耦接至该防护组件。

2.如权利要求1所述的静电放电防护电路的布局结构，更包括：

一场氧化层，在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该防护组件的区域内；

其中，该电阻在该第一方向上配置在该场氧化层上。

3.如权利要求2所述的静电放电防护电路的布局结构，其中，该电阻在该第一方向上的一部分配置在该场氧化层上。

4.如权利要求1所述的静电放电防护电路的布局结构，更包括：

一场氧化层，在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该防护组件的区域内；

其中，该电阻在一第二方向上配置在该场氧化层上，且该第二方向不同于该第一方向。

5.如权利要求1所述的静电放电防护电路的布局结构，更包括：

一场氧化层，在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该防护组件的区域内；

其中，该电阻包括多个子电阻，且每一子电阻在一第二方向上配置在该场氧化层上。

6.如权利要求1所述的静电放电防护电路的布局结构，其中，该防护组件为一场氧化层晶体管、一金属氧化物半导体晶体管及一二极管中之一者。

7.一种静电放电防护电路制造方法，包括下列步骤：

提供一基底；

在该基底上形成一防护组件，该防护组件用以接收一静电放电电流从而保护一内部电路不受该静电放电电流的影响，其中，在该防护组件的区域内包含一隔离区域；

在该基底上形成一电阻，其中，该电阻的部分或全部面积置放在该隔离区域；以及

形成一电性联机，以将该电阻的一端耦接至该防护组件。

8.如权利要求7所述的静电放电防护电路制造方法，更包括：

形成一场氧化层，其中，该场氧化层是在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该隔离区域；

其中，该电阻在该第一方向上配置在该场氧化层上。

9.如权利要求8所述的静电放电防护电路制造方法，其中，该电阻的一部分配置在该场氧化层上。

10.如权利要求7所述的静电放电防护电路制造方法，更包括：

形成一场氧化层，其中，该场氧化层是在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该隔离区域；

其中，该电阻在一第二方向上配置在该场氧化层上，且该第二方向不同于该第一方向。

11.如权利要求7所述的静电放电防护电路制造方法，更包括：

形成一场氧化层，其中，该场氧化层是在一第一方向上配置在该基底上，且其部分或全部面积配置在该隔离区域；

其中，该电阻包括多个子电阻，且每一子电阻在一第二方向上配置在该场氧化层上。

12.如权利要求7所述的静电放电防护电路制造方法，其中，该防护组件为一场氧化层晶体管、一金属氧化物半导体晶体管及一二极管中之一者。