[发明专利]场发射型背光单元及其制备方法

权利要求书

1、一种场发射型背光单元，包括：

下基板；

形成在所述下基板上的多个阴极电极；

线形地形成在所述下基板和所述阴极电极上的多个绝缘层；

形成在所述绝缘层上的多个门电极；以及

由电子发射材料形成的至少一个发射器，形成在所述绝缘层之间的每个所述阴极电极上。

2、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述阴极电极彼此平行，并且所述绝缘层横跨所述阴极电极。

3、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述绝缘层3到10微米高。

4、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述绝缘层之间的间隙为10到30微米。

5、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述绝缘层由感光或非感光绝缘材料形成。

6、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述门电极沿着所述绝缘层的上表面形成。

7、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述发射器1到3微米高。

8、根据权利要求1的场发射型背光单元，其中，所述电子发射材料由选自碳纳米管、ZnO、不定形碳、纳米金刚石、纳米金属线和纳米氧化物线中至少一种材料形成。

9、根据权利要求1的场发射型背光单元，还包括：

与所述下基板间隔开预定距离的上基板；

形成在所述上基板的下表面上的阴极电极；以及

形成在所述阴极电极上的荧光层。

10、一种制备场发射型背光单元的方法，包括：

在基板上形成多个阴极电极；

在所述基板和所述阴极电极上线形地形成多个绝缘层；

在所述绝缘层上形成多个门电极；以及

在所述绝缘层之间的每个所述阴极电极上，形成由电子发射材料形成的至少一个发射器。

11、根据权利要求10的方法，其中，通过在所述基板上沉积阴极电极层并且随后将所述阴极电极层构图来形成所述阴极电极。

12、根据权利要求10的方法，其中，所述阴极电极彼此平行。

13、根据权利要求10的方法，其中，所述绝缘层横跨所述阴极电极。

14、根据权利要求10的方法，其中，所述绝缘层3到10微米高。

15、根据权利要求10的方法，其中，所述绝缘层之间具有为10到30微米的间隙。

16、根据权利要求10的方法，其中，通过在所述基板上涂覆含有绝缘材料的糊料覆盖所述阴极电极和所述基板，然后将所述糊料构图为线形，来形成所述绝缘层。

17、根据权利要求16的方法，还包括烘焙所述构图的糊料。

18、根据权利要求16的方法，其中，所述绝缘层由感光或非感光绝缘材料形成。

19、根据权利要求10的方法，其中，所述门电极沿着所述绝缘层的上表面形成。

20、根据权利要求10的方法，其中，通过沉积门电极层来覆盖所述基板、阴极电极和绝缘层并且然后将所述门电极层构图，来形成所述门电极。

21、根据权利要求10的方法，其中，所述发射器1到3微米高。

22、根据权利要求10的方法，其中，所述电子发射材料由选自碳纳米管、ZnO、不定形碳、纳米金刚石、纳米金属线和纳米氧化物线中至少一种材料形成。

23、根据权利要求10的方法，其中，形成所述发射器包括：

形成覆盖所述基板、阴极电极、绝缘层和门电极的光刻胶，但是将所述绝缘层之间的部分阴极电极暴露；

使用包括电子发射材料的糊料，将对应于所述暴露的部分阴极电极的绝缘层之间的空间填充；

从所述基板的背面将部分的所述糊料曝光；

去除所述光刻胶和未曝光的部分所述糊料；以及

将保留在所述绝缘层之间的阴极电极上的曝光的部分所述糊料烘焙。